[发明专利]基片处理装置及基片处理方法在审
申请号: | 202010221812.4 | 申请日: | 2020-03-26 |
公开(公告)号: | CN111755362A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 吉田博司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
本发明提供一种基片处理装置及基片处理方法。一种基片处理装置,其具有:混合部,其按预定的混合比混合作为处理液的原料的第一磷酸与添加剂来调配混合液;修正所述处理液的原料的混合比的混合比修正部;用所述处理液处理基片的处理部,所述混合部用于贮存所述混合液的混合罐;对所述混合罐供给所述第一磷酸的第一磷酸供给部;和对所述混合罐供给所述添加剂的添加剂供给部,所述混合比修正部具有:将所述混合液从所述混合部输送至所述处理部的送液线路;和在所述送液线路的中途供给第二磷酸的第二磷酸供给部。由此,能够适当变更磷酸与添加剂的混合比。
技术领域
本公开涉及一种基片处理装置及基片处理方法。
背景技术
专利文献1所记载的基片处理装置包括处理部、循环线路、加热部和第一投放部。处理部用包含磷酸和氧化硅析出抑制剂的蚀刻液,从基片上去除硅氮化膜。循环线路使蚀刻液相对于处理部循环。加热部加热蚀刻液。第一投放部设置在循环线路上,向蚀刻液中投放氧化硅析出抑制剂。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-118092号公报。
发明内容
发明所要解决的问题
本发明的一方式提供一种能够适当变更磷酸与添加剂的混合比的技术。
用于解决问题的技术方案
本发明的一方式的基片处理装置,其具有:混合部,其按预定的混合比混合作为处理液的原料的第一磷酸与添加剂来调配混合液;修正所述处理液的原料的混合比的混合比修正部;用所述处理液处理基片的处理部,所述混合部用于贮存所述混合液的混合罐;对所述混合罐供给所述第一磷酸的第一磷酸供给部;和对所述混合罐供给所述添加剂的添加剂供给部,所述混合比修正部具有:将所述混合液从所述混合部输送至所述处理部的送液线路;和在所述送液线路的中途供给第二磷酸的第二磷酸供给部,
发明效果
根据本发明的一方式,能够适当地变更磷酸与添加剂的混合比。
附图说明
图1是表示一实施方式的基片处理装置的图。
图2是表示一实施方式的处理液的原料的混合比的图。
图3A是表示一实施方式的基片的处理前的状态的剖视图。
图3B是表示图3A所示的基片的处理后的状态的剖视图。
图4是表示一实施方式的处理部的图。
图5是表示一实施方式的基片处理装置的动作的图。
图6是表示一实施方式的混合液的调配的流程图。
图7是表示一实施方式的第一混合比(M:N)与供给次数N的关系的图。
图8是表示一实施方式的向处理部供给混合液的流程图。
图9是表示一实施方式的处理液的原料的混合比与第二混合比(Q2:Q1)的关系的图。
图10是表示一实施方式的每一批次的基片的片数与Q1和Q2之和(Q1+Q2)的关系的图。
图11是表示变形例的基片处理装置的图。
符号说明
1 基片处理装置
2 基片
22 硅氧化膜
23 硅氮化膜
24 层叠膜
25 开口部
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