[发明专利]一种基于光调控的红外吸收器有效

专利信息
申请号: 202010222419.7 申请日: 2020-03-26
公开(公告)号: CN111221066B 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 邓光晟;孙寒啸;吕坤;杨军;尹治平 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: G02B5/20 分类号: G02B5/20
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 刘凤玲
地址: 230009 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 调控 红外 吸收
【权利要求书】:

1.一种基于光调控的红外吸收器,其特征在于,所述红外吸收器包括:n个吸收单元,n个吸收单元为阵列方式排布设置;各所述吸收单元包括二氧化硅基板、金属基底、光栅和钙钛矿薄层;

所述金属基底用于防止入射波透过;

所述二氧化硅基板位于所述金属基底上方,用于作为所述光栅的基底材料;

所述光栅位于二氧化硅基板上方,用于实现不同频段红外波的吸收;所述光栅由三氧化钼制成;

所述钙钛矿薄层覆盖在所述光栅外表,通过接受光照强度改变自身介电常数,进一步调节吸收宽带。

2.根据权利要求1所述的一种基于光调控的红外吸收器,其特征在于,所述二氧化硅基板为立方体结构。

3.根据权利要求2所述的一种基于光调控的红外吸收器,其特征在于,所述立方体结构的边长分别为a和b,厚度为hs,其中a、b、和hs均为大于0的整数。

4.根据权利要求1所述的一种基于光调控的红外吸收器,其特征在于,所述光栅为梯形光栅。

5.根据权利要求1所述的一种基于光调控的红外吸收器,其特征在于,所述二氧化硅基板的长度和所述金属基底的长度相同,所述二氧化硅基板的宽度和所述金属基底的宽度相同。

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