[发明专利]一种基于光调控的红外吸收器

说明书

本发明公开了一种基于光调控的红外吸收器,所述红外吸收器包括：n个吸收单元，n个吸收单元为阵列方式排布设置；各所述吸收单元包括二氧化硅基板、金属基底、光栅和钙钛矿薄层；所述金属基底用于防止入射波透过；所述二氧化硅基板位于所述金属基底上方，用于作为所述光栅的基底材料；所述光栅位于二氧化硅基板上方，用于实现不同频段红外波的吸收；所述钙钛矿薄层覆盖在所述光栅外表，用于通过接受光照强度改变自身介电常数，进一步调节吸收宽带。

技术领域

本发明涉及宽带吸收领域，具体是一种基于光调控的红外吸收器。

背景技术

红外波是指波长范围在1～500μm内的电磁波。由于红外波特别是中红外波拥有很多卓越的性能，使其医学成像、安全检查、产品检测等实际应用方面都具有重要的应用前景。目前的中红外吸收器的吸收频段较窄，很难实现宽带吸收。

发明内容

本发明的目的是提供一种基于光调控的红外吸收器，以实现中红外波段的宽带吸收。

为实现上述目的本发明提供了一种基于光调控的红外吸收器，所述红外吸收器包括：

n个吸收单元，n个吸收单元为阵列方式排布设置；各所述吸收单元包括二氧化硅基板、金属基底、光栅和钙钛矿薄层，n为大于0的整数；

所述金属基底用于防止入射波透过；

所述二氧化硅基板位于所述金属基底上方，用于作为所述光栅的基底材料；

所述光栅位于二氧化硅基板上方，用于实现不同频段红外波的吸收；

所述钙钛矿薄层覆盖在所述光栅外表，用于通过接受光照强度改变自身介电常数，进一步调节吸收宽带。

可选的，所述光栅由三氧化钼制成。

可选的，所述二氧化硅基板为立方体结构。

可选的，所述立方体结构的边长分别为a和b、厚度为h_s，其中a、b、和h_s均为大于0的整数。

可选的，所述光栅为梯形光栅。

可选的，所述二氧化硅基板的长度和所述金属基底的长度相同，所述二氧化硅基板的宽度和所述金属基底的宽度相同。

根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：

本发明公开了一种基于光调控的红外吸收器，所述红外吸收器包括：n个吸收单元，n个吸收单元为阵列方式排布设置；各所述吸收单元包括二氧化硅基板、金属基底、光栅和钙钛矿薄层；所述金属基底用于防止入射波透过；所述二氧化硅基板位于所述金属基底上方，用于作为所述光栅的基底材料；所述光栅位于二氧化硅基板上方，用于实现不同频段红外波的吸收；所述钙钛矿薄层覆盖在所述光栅外表，用于通过接受光照强度改变自身介电常数，进一步调节吸收宽带。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的吸收单元三维结构示意图；

图2为当梯形光栅的中心线沿x方向时，对极化电场沿y方向的入射波，在光照强度改变时的吸收频谱曲线图；

图3为当梯形光栅的中心线沿y方向时，对极化电场沿x方向的入射波，在光照强度改变时的吸收频谱曲线图；

图4为梯形光栅的厚度为20nm，当梯形光栅的中心线沿x方向时，对极化电场沿y方向的入射波，在光照强度改变时的吸收频谱曲线图；