[发明专利]太阳能单电池集合体和太阳能单电池的制造方法在审
申请号: | 202010222948.7 | 申请日: | 2020-03-26 |
公开(公告)号: | CN111755541A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 佐久间俊行;村田和哉;片桐雅之;大钟章义;北原明直 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L31/046 | 分类号: | H01L31/046;H01L31/18 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能 电池 集合体 制造 方法 | ||
1.一种太阳能单电池集合体,其包括:多个太阳能单电池;和设置在所述多个太阳能单电池中的相邻的太阳能单电池之间的单电池间区域,所述太阳能单电池集合体的特征在于:
所述太阳能单电池和所述单电池间区域各自包括:
具有彼此背对的一个主面和另一个主面的第1导电型的半导体基片;
设置在所述半导体基片的所述一个主面侧的第2导电型的第1非晶半导体层;
设置在所述第1非晶半导体层上的一部分区域的绝缘层;和
以覆盖所述绝缘层的方式设置在所述第1非晶半导体层上的第1透明导电膜,
所述绝缘层设置成,在俯视所述太阳能单电池集合体时沿着所述单电池间区域,并且一部分与所述单电池间区域重叠。
2.如权利要求1所述的太阳能单电池集合体,其特征在于:
所述太阳能单电池和所述单电池间区域各自还包括:
设置在所述半导体基片的所述另一个主面侧的第1导电型的第2非晶半导体层;和
设置在所述第2非晶半导体层上的第2透明导电膜。
3.如权利要求1或2所述的太阳能单电池集合体,其特征在于:
所述绝缘层在俯视所述太阳能单电池集合体时具有带状的形状。
4.如权利要求3所述的太阳能单电池集合体,其特征在于:
带状的所述绝缘层的宽度比所述单电池间区域的宽度大。
5.如权利要求4所述的太阳能单电池集合体,其特征在于:
带状的所述绝缘层的长度比所述第1透明导电膜的长度长。
6.如权利要求3所述的太阳能单电池集合体,其特征在于:
所述第1透明导电膜在从所述绝缘层呈带状地延伸的方向看时,覆盖整个所述绝缘层。
7.如权利要求3所述的太阳能单电池集合体,其特征在于:
所述第1透明导电膜具有沿着所述单电池间区域的带状的开口部,
所述绝缘层的一部分从所述开口部露出。
8.如权利要求3所述的太阳能单电池集合体,其特征在于:
所述第1透明导电膜和所述绝缘层各自具有沿着所述单电池间区域的带状的开口部。
9.一种太阳能单电池集合体,其包括:多个太阳能单电池;和设置在所述多个太阳能单电池中的相邻的太阳能单电池之间的单电池间区域,所述太阳能单电池集合体的特征在于:
所述太阳能单电池和所述单电池间区域各自包括:
具有彼此背对的一个主面和另一个主面的第1导电型的半导体基片;
设置在所述半导体基片的所述一个主面侧的隧道氧化层;
设置在所述隧道氧化层上的一部分区域的绝缘层;和
以覆盖所述绝缘层的方式设置在所述隧道氧化层上的第1导电型的多晶硅层,
所述绝缘层设置成,在俯视所述太阳能单电池集合体时沿着所述单电池间区域,并且一部分与所述单电池间区域重叠。
10.一种太阳能单电池的制造方法,其特征在于,包括:
在具有彼此背对的一个主面和另一个主面的第1导电型的半导体基片的所述一个主面侧形成第2导电型的第1非晶半导体层的工序;
在所述第1非晶半导体层上形成带状的绝缘层的工序;
通过以覆盖所述绝缘层的方式在所述第1非晶半导体层上形成第1透明导电膜而形成太阳能单电池集合体的工序;
沿着俯视所述太阳能单电池集合体时的所述绝缘层,在所述太阳能单电池集合体形成槽的工序;和
沿着所述槽截断所述太阳能单电池集合体的工序。
11.如权利要求10所述的太阳能单电池的制造方法,其特征在于:
在形成所述槽的工序中,所述槽通过照射激光而形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的