[发明专利]太阳能单电池集合体和太阳能单电池的制造方法

说明书

太阳能单电池集合体(1)包括：多个太阳能单电池(10)和设置在多个太阳能单电池(10)中的相邻的太阳能单电池(10)之间的单电池间区域(50)。它们各自包括：具有彼此背对的一个主面(20a)和另一个主面(20b)的第1导电型的半导体基片(20)；设置在半导体基片(20)的一个主面(20a)侧的第2导电型的第1非晶半导体层(21p)；设置在第1非晶半导体层(21p)上的一部分区域的绝缘层(51)；和以覆盖绝缘层(51)的方式设置在第1非晶半导体层(21p)上的第1透明导电膜(22)。绝缘层(51)设置成在俯视太阳能单电池集合体1时沿着单电池间区域(50)并且一部分与单电池间区域(50)重叠。

技术领域

本发明涉及包括多个太阳能单电池的太阳能单电池集合体和太阳能单电池的制造方法。

背景技术

现有技术中，作为将光能转换为电能的光电转换装置，太阳能单电池的开发不断进步。太阳能单电池能够将取之不尽的太阳光直接转换为电，此外，与采用化石燃料发电相比对环境的负担小而清洁，所以作为新型能源而备受关注。

太阳能单电池具有半导体基片、形成在半导体基片上的非晶半导体层和形成在非晶半导体层上的透明导电膜。太阳能单电池通过将包括多个太阳能单电池的太阳能单电池集合体截断而形成。

专利文献1公开了如下所述的技术：将太阳能单电池集合体的透明导电膜的一部分除去，对除去了透明导电膜的区域照射激光在非晶半导体层和半导体基片中形成分割用的槽，之后，将太阳能单电池集合体截断，由此来制作太阳能单电池。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-198142号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在专利文献1公开的技术中，存在这样的问题：在除去透明导电膜的一部分时非晶半导体层和半导体基片受到损伤，太阳能单电池的特性下降。

于是，本发明的目的在于，提供一种能够抑制太阳能单电池的特性下降的太阳能单电池集合体和太阳能单电池的制造方法。

用于解决课题的方法

为了实现上述目的，本发明的一个方式的太阳能单电池集合体包括：多个太阳能单电池；和设置在所述多个太阳能单电池中的相邻的太阳能单电池之间的单电池间区域，所述太阳能单电池和所述单电池间区域各自包括：具有彼此背对的一个主面和另一个主面的第1导电型的半导体基片；设置在所述半导体基片的所述一个主面侧的第2导电型的第1非晶半导体层；设置在所述第1非晶半导体层上的一部分区域的绝缘层；和以覆盖所述绝缘层的方式设置在所述第1非晶半导体层上的第1透明导电膜，所述绝缘层设置成，在俯视所述太阳能单电池集合体时沿着所述单电池间区域，并且一部分与所述单电池间区域重叠。

为了实现上述目的，本发明的一个方式的太阳能单电池集合体包括：多个太阳能单电池；和设置在所述多个太阳能单电池中的相邻的太阳能单电池之间的单电池间区域，所述太阳能单电池和所述单电池间区域各自包括：具有彼此背对的一个主面和另一个主面的第1导电型的半导体基片；设置在所述半导体基片的所述一个主面侧的隧道氧化层；设置在所述隧道氧化层上的一部分区域的绝缘层；和以覆盖所述绝缘层的方式设置在所述隧道氧化层上的第1导电型的多晶硅层，所述绝缘层设置成，在俯视所述太阳能单电池集合体时沿着所述单电池间区域，并且一部分与所述单电池间区域重叠。