[发明专利]一种刻蚀液及其制备方法

说明书

本发明提供一种刻蚀液及其制备方法，该刻蚀液按照质量百分含量包括以下组分：1～20％双氧水；0.01～5％无机酸；0.01～5％双氧水稳定剂；1～10％pH调节剂；1～10％络合剂；0.01～2％金属缓蚀剂；以及余量水；其中，所述无机酸中至少包括氟类化合物。该刻蚀液能够同时实现源漏极金属电极和金属氧化物膜层的刻蚀，在不影响半导体器件性能下实现了光罩使用数量的减少，降低了材料成本，简化了工艺流程。

技术领域

本发明涉及一种刻蚀液及其制备方法，属于刻蚀技术领域。

背景技术

随着平板显示行业日趋饱和，各面板企业着重开发新工艺，降低企业生产成本，如缩短面板生产工艺、减少原材料消耗。而成本最高的TFT工艺成为企业降本增效的关键节点，其中最为显著的措施就是减少MASK的使用数量。

以金属氧化物-TFT为例，在刻蚀源漏电极时分别选用不同的刻蚀液对SD层和金属氧化物膜层进行分步刻蚀，无疑增加了MASK的使用数量，难以实现成本的降低。而若只用其中一种蚀刻液对SD层和金属氧化物膜层进行同步刻蚀，例如采用刻蚀SD层的刻蚀液对SD层和金属氧化物膜层进行同步刻蚀，则难以保证对金属氧化物膜层的有效刻蚀，不仅会具有金属氧化物膜层残留，并且还会使刻蚀剖面不可控，从而导致半导体器件的性能受到影响。

发明内容

本发明提供一种刻蚀液，该刻蚀液能够同时实现源漏极金属电极和金属氧化物膜层的刻蚀，在不影响半导体器件性能下减少了光罩使用数量，降低了材料成本，简化了工艺流程。

本发明还提供一种刻蚀液的制备方法，该方法简单易行，能够高效制备得到同时实现源漏极金属电极和金属氧化物膜层的刻蚀且刻蚀效果优异的刻蚀液。

本发明提供一种用于金属/金属氧化物膜层的刻蚀液，按照质量百分含量包括以下组分：

1～20％双氧水；

0.01～5％无机酸；

0.01～5％双氧水稳定剂；

1～10％pH调节剂；

1～10％络合剂；

0.01～2％金属缓蚀剂；

以及余量水；

其中，所述无机酸中至少包括氟类化合物。

如上所述的刻蚀液，其中，按照质量百分含量包括以下组分：

6～15％双氧水；

0.5～5％无机酸；

0.01～2％双氧水稳定剂；

1～4％pH调节剂；

1～5％络合剂；

0.01～2％金属缓蚀剂；

以及余量水。

如上所述的刻蚀液，其中，所述无机酸中包括氢氟酸。

如上所述的刻蚀液，其中，所述氢氟酸的质量百分含量为0.01～1％。

如上所述的刻蚀液，其中，所述双氧水稳定剂选自含有羧基的有机化合物和/或含有氨基的有机化合物。

如上所述的刻蚀液，其中，述含有羧基的有机化合物选自苹果酸、EDTA、羟基乙酸、马来酸、酒石酸以及各自的衍生物中的一种或多种。

如上所述的刻蚀液，其中，所述pH调节剂选自含有氨基的有机化合物。

如上所述的刻蚀液，其中，所述含有氨基的有机化合物包括醇胺类化合物。

如上所述的刻蚀液，其中，所述金属缓蚀剂包括含有杂原子的环状化合物。