[发明专利]静电放电保护电路有效
申请号: | 202010224088.0 | 申请日: | 2020-03-26 |
公开(公告)号: | CN113451293B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 许杞安 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 史治法 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 放电 保护 电路 | ||
本发明涉及一种静电放电保护电路,包括:脉冲检测单元,其第一端连接第一电压,第二端连接第二电压,第三端输出脉冲检测信号;延迟单元,其第一端连接第一电压,第二端连接第二电压,第三端连接脉冲检测单元的第三端,第四端输出第一延迟信号,第五端输出第二延迟信号;控制单元,其第一端连接第一电压,第二端连接第二电压,第三端连接延迟单元的第五端,第四端连接延迟单元的第四端,第五端输出控制信号;泄放单元,其第一端连接第一电压,第二端连接第二电压,第三端连接控制单元的第五端。本申请在达到所需的静电保护效果的前提下具有较小的RC时间常数,静电放电保护电路的面积较小,不会占用较多的设计空间。
技术领域
本申请涉及集成电路技术领域,特别是涉及一种静电放电保护电路。
背景技术
现在半导体的制程越来越先进,半导体器件越来越小,结深(junction depth)越来越浅,氧化层越来越薄,半导体集成电路的可靠性面临的挑战越来越大,尤其是静电保护变得愈发重要。据统计,有很多半导体产品的失效是有静电损伤引起的。为了更好的保护集成电路不受静电损伤,需要设置静电放电保护电路对集成电路进行保护。
常规的集成电路产品通常具备静电保护的设计,通常所有的引出焊盘都有对应的静电保护电路,这些保护电路能够保证所有的引出焊盘在遇到静电放电(ElectrostaticDischarge,ESD)时,能够快速泄放ESD静电,从而保护集成电路产品不受ESD损伤。为了保证静电发生的时间内能充分泄放静电电流,现有的静电放电保护电路的电阻和电容会占用比较大的设计空间,即现有的静电放电保护电路为了达到较好的静电保护效果需要较大的RC时间常数,从而使得静电放电保护电路的面积较大;同时,现有的静电保护电路还易受到噪声的影响。
发明内容
基于此,有必要针对现有技术中存在的静电放电保护电路面积较大,且易受噪声影响的问题提供一种静电放电保护电路。
为了实现上述目的,一方面,本发明提供了一种静电放电保护电路,包括:
脉冲检测单元,用于检测静电脉冲信号,其第一端连接第一电压,第二端连接第二电压,第三端输出脉冲检测信号;
延迟单元,用于延迟或增强所述脉冲检测信号的驱动能力,其第一端连接所述第一电压,第二端连接所述第二电压,第三端连接所述脉冲检测单元的第三端,第四端输出第一延迟信号,第五端输出第二延迟信号;
控制单元,用于根据所述第一延迟信号和所述第二延迟信号产生控制信号,其第一端连接所述第一电压,第二端连接所述第二电压,第三端连接所述延迟单元的第五端,第四端连接所述延迟单元的第四端,第五端输出控制信号;
泄放单元,用于根据所述控制信号打开或关闭静电电荷泄放通路,其第一端连接所述第一电压,第二端连接所述第二电压,第三端连接所述控制单元的第五端。
在其中一个实施例中,所述检测单元包括:所述脉冲检测单元包括电阻和电容,所述电阻的第一端作为所述脉冲检测单元的第一端,所述电阻的第二端作为所述脉冲检测单元的第三端,所述电容的第一端连接所述电阻的第二端,所述电容的第二端作为所述脉冲检测单元的第二端。
在其中一个实施例中,所述电阻为多晶硅电阻或掺杂区电阻。
在其中一个实施例中,所述电容为金属-介电层-金属电容或MOS电容。
在其中一个示例中,所述电阻的阻值和所述电容的容值的乘积为0.01us~1us。
在其中一个示例中,所述控制单元包括:所述延迟单元包括:
第一反相器,所述第一反相器的第一端作为所述延迟单元的第三端,所述第一反相器的第二端连接所述第一电压,所述第一反相器的第三端连接所述第二电压,所述第一反相器的第四端作为所述延迟单元的第四端;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的