[发明专利]显示用基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 202010224210.4 | 申请日: | 2020-03-26 |
公开(公告)号: | CN111276499B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 刘宁;刘军;程磊磊;李广耀;周斌;闫梁臣 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H10K59/121;H10K59/124;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 用基板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明实施例提供一种显示用基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可以解决制作显示用基板时需要较多的制作工艺的问题,该显示用基板包括衬底,设置在所述衬底上的绝缘层,设置在所述绝缘层远离所述衬底一侧的平坦层,所述平坦层包括正性感光剂;所述绝缘层具有第一过孔;所述平坦层在其远离所述绝缘层的表面上设置有凹槽,所述平坦层中位于在所述凹槽底下的部分具有第二过孔,所述第一过孔和所述第二过孔相贯通。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示用基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
顶栅型TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)具有短沟道的特点,所以其开态电流Ion能够有效提升,因而可以显著提升显示效果并且能够有效降低功耗。而且顶栅型TFT的栅极与源漏极重叠面积小,因而产生的寄生电容较小,所以发生GDS等不良的可能性也降低。由于顶栅型TFT具有上述显著优点,因此越来越受到人们的关注。
发明内容
本申请的实施例采用如下技术方案:
第一方面、提供一种显示用基板,包括:衬底,设置在所述衬底上的绝缘层,设置在所述绝缘层远离所述衬底一侧的平坦层;所述绝缘层具有第一过孔;所述平坦层在其远离所述绝缘层的表面上设置有凹槽,所述平坦层中位于在所述凹槽底下的部分具有第二过孔,所述第一过孔和所述第二过孔相贯通。
在一些实施例中,显示用基板还包括:设置在所述衬底与所述绝缘层之间的薄膜晶体管;设置在所述凹槽的底面上的第一极板,设置在所述绝缘层靠近所述衬底一侧的第二极板;所述第一极板贯穿所述第二过孔和所述第一过孔与所述薄膜晶体管的第一极电连接,所述第二极板与所述薄膜晶体管的栅极电连接;其中,所述第一极板和所述第二极板构成电容器的两个极板。
在一些实施例中,所述凹槽的深度为所述平坦层的厚度的80%~95%。
在一些实施例中,所述第二过孔靠近所述衬底的边缘在所述衬底上的正投影在所述第一过孔远离所述衬底的边缘在所述衬底上的正投影以内。
在一些实施例中,所述第二过孔靠近所述衬底的边缘在所述衬底上的正投影与所述第一过孔远离所述衬底的边缘在所述衬底上的正投影重合。
在一些实施例中,显示用基板还包括:电极,以及设置在所述绝缘层和所述平坦层之间的彩色滤光层;所述电极与所述第一极板相连接,且同层同材料,所述彩色滤光层包括滤光图案;所述电极在所述衬底上的正投影与一个所述滤光图案在所述衬底上的正投影具有重叠区域。
在一些实施例中,显示用基板还包括:设置在所述衬底与所述薄膜晶体管之间的金属图案;所述薄膜晶体管的有源层在所述衬底上的正投影在所述金属图案在所述衬底上的正投影内;所述金属图案与所述薄膜晶体管的第一极电连接,且所述金属图案与所述第二极板具有重叠区域。
第二方面、提供一种显示装置,包括上述的显示用基板。
第三方面、提供一种显示用基板的制备方法,包括:在所述衬底上依次形成第一薄膜和第二薄膜,第二薄膜包括正性感光剂;对所述第二薄膜进行掩膜曝光和显影,以在所述第二薄膜远离所述第一薄膜的表面上形成凹槽,且在所述第二薄膜的凹槽底下的部分形成第二过孔,得到平坦层;对所述第一薄膜中被所述第二过孔露出的部分进行刻蚀,以形成具有第一过孔的绝缘层。
在一些实施例中,所述制备方法还包括:在形成所述绝缘层之后,对所述平坦层进行灰化处理以得到处理后的平坦层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010224210.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的