[发明专利]倒装LED

权利要求书

1.一种倒装LED，其特征在于，包括：

量子阱层，所述量子阱层包括第一量子阱层和第二量子阱层；

电极，所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别位于所述量子阱层非发光面两侧，所述第一电极设置有，用于导通所述第一电极与靠近所述第一电极膜层之间电连接的第一电极导通区，所述第二电极设置有，用于阻止所述第二电极与靠近所述第二电极膜层之间电导通的第二电极凹型结构；

载流子传输层，所述载流子传输层包括第一载流子传输层和第二载流子传输层，所述第一载流子传输层、所述第一量子阱层、所述第二载流子传输层、所述第二量子阱层、所述第一载流子传输层依次沿所述LED发光方向垂直分布；

第一绝缘区，所述第一绝缘区置于所述第二电极凹型结构中。

2.根据权利要求1所述的倒装LED，其特征在于，所述第二电极凹型结构尺寸在第一厚度和第二厚度之间，所述所述第一厚度为第一量子阱层、第二载流子传输层以及第二量子阱层厚度之和；所述第二厚度为第一量子阱层、第二载流子传输层、第二量子阱层以及两层第一载流子传输层厚度之和。

3.根据权利要求2所述的倒装LED，其特征在于，所述第一电极导通区与所述第二电极凹型结构沿垂直于出光面方向相对。

4.根据权利要求3所述的倒装LED，其特征在于，所述第一载流子传输层为P型半导体层，所述P型半导体层包括第一P型半导体层和第二P型半导体层，所述第二电极凹型结构在垂直于出光面方向的两端分别与所述第一P型半导体层和第二P型半导体层相接触，所述第二载流子传输层为N型半导体层，所述N型半导体层有第一N型半导体层，所述第一电极导通区与所述第一N型半导体层相接触。

5.根据权利要求4所述的倒装LED，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极沿远离所述倒装LED出光面方向延伸至所述倒装LED的底部。

6.根据权利要求5所述的倒装LED，其特征在于，所述倒装LED还包括第二绝缘区，所述第二绝缘区位于所述第一电极延伸至所述倒装LED底部的内侧，用于阻止第一电极分别与第二量子阱层或第二P型半导体层直接电导通。

7.根据权利要求5所述的倒装LED，其特征在于，所述倒装LED还包括：

第三量子阱层，所述第三量子阱层位于所述第二量子阱层远离所述第一量子阱层的一侧；

所述第一电极还设置有，用于阻止所述第一电极与靠近所述第一电极膜层之间电导通的第一电极凹形结构，所述第二电极还设置有，用于导通所述第二电极与靠近所述第二电极膜层之间电连接的第二电极导通区；

第二N型半导体层，所述第二N型半导体层位于所述第三量子阱层远离出光面一侧；

第三绝缘区，所述第三绝缘区置于所述第一电极凹型结构中。

8.根据权利要求7所述的倒装LED，其特征在于，所述第一电极凹型结构尺寸在第三厚度和第四厚度之间，所述第三厚度为第二量子阱层、第二P型半导体层以及第三量子阱层厚度之和；所述第四厚度为第二量子阱层、第二P型半导体层、第三量子阱层以及第一N型半导体层、第二N型半导体层厚度之和。

9.根据权利要求8所述的倒装LED，其特征在于，所述第二绝缘区位于所述第二电极延伸至所述倒装LED底部的内侧，用于阻止所述第二电极分别与所述第三量子阱层或所述第二N型半导体层直接电导通。

10.根据权利要求1-9中任意一项所述的倒装LED，其特征在于，所述绝缘层还包括第四绝缘区，所述第四绝缘区位于所述第一P型半导体靠近所述第一电极一侧，用于阻止所述第一电极直接与所述第一载流子传输层电导通。