[发明专利]倒装LED

说明书

本发明公开了一种倒装LED，包括：量子阱层，包括第一量子阱层和第二量子阱层；电极，包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极分别位于量子阱层非发光面两侧，所述第一电极设置有，用于导通第一电极与靠近第一电极膜层之间电连接的第一电极导通区，第二电极设置有，用于阻止第二电极与靠近第二电极膜层之间电导通的第二电极凹型结构；载流子传输层，包括第一载流子传输层和第二载流子传输层，第一载流子传输层、第一量子阱层、第二载流子传输层、第二量子阱层、第一载流子传输层依次沿LED发光方向垂直分布；第一绝缘区置于第二电极凹型结构中。本发明的倒装LED解决了电极位于发光层上影响LED发光效率的问题。

技术领域

本发明涉及领域LED领域，尤其涉及一种倒装LED。

背景技术

LED结构分为正装结构、垂直结构和倒装结构。倒装结构避免了金线焊接，下方的电极可与支架或PCB直接相连，在焊接的可靠性方面具有较为明显的优势。在传统的倒装芯片结构中，电极在半导体层中生成，这会使N型半导体层和P型半导体层的面积不一致，量子阱的复合面积减小，从而影响倒装LED的出光效率。

鉴于此，有必要提供一种倒装LED，以克服或缓解现有技术中的上述缺陷。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种倒装LED，旨在解决电极在半导体层中生成进而减小量子阱复合面积的问题。

为了实现上述目的，本发明提供一种倒装LED，包括：

量子阱层，所述量子阱层包括第一量子阱层和第二量子阱层；

电极，所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别位于所述量子阱层非发光面两侧，所述第一电极设置有，用于导通所述第一电极与靠近所述第一电极膜层之间电连接的第一电极导通区，所述第二电极设置有，用于阻止所述第二电极与靠近所述第二电极膜层之间电导通的第二电极凹型结构；

载流子传输层，所述载流子传输层包括第一载流子传输层和第二载流子传输层，所述第一载流子传输层、所述第一量子阱层、所述第二载流子传输层、所述第二量子阱层、所述第一载流子传输层依次沿所述LED发光方向垂直分布；

第一绝缘区，所述第一绝缘区置于所述第二电极凹型结构中。

可选地，所述第二电极凹型结构尺寸在第一厚度和第二厚度之间，所述所述第一厚度为第一量子阱层、第二载流子传输层以及第二量子阱层厚度之和；所述第二厚度为第一量子阱层、第二载流子传输层、第二量子阱层以及两层第一载流子传输层厚度之和。

可选地，所述第一电极导通区与所述第二电极凹型结构沿垂直于出光面方向相对。

可选地，所述第一载流子传输层为P型半导体层，所述P型半导体层包括第一P型半导体层和第二P型半导体层，所述第二电极凹型结构在垂直于出光面方向的两端分别与所述第一P型半导体层和第二P型半导体层相接触，所述第二载流子传输层为N型半导体层，所述N型半导体层有第一N型半导体层，所述第一电极导通区与所述第一N型半导体层相接触。

可选地，所述第一电极和所述第二电极沿远离所述倒装LED出光面方向延伸至所述倒装LED的底部。

可选地，所述倒装LED还包括第二绝缘区，所述第二绝缘区位于所述第一电极延伸至所述倒装LED底部的内侧，用于阻止第一电极分别与第二量子阱层或第二P型半导体层直接电导通。

可选地，所述倒装LED还包括：

第三量子阱层，所述第三量子阱层位于所述第二量子阱层远离所述第一量子阱层的一侧；

所述第一电极还设置有，用于阻止所述第一电极与靠近所述第一电极膜层之间电导通的第一电极凹形结构，所述第二电极还设置有，用于导通所述第二电极与靠近所述第二电极膜层之间电连接的第二电极导通区；