[发明专利]一种堆叠电容、闪存器件及其制造方法

权利要求书

1.一种堆叠电容，所述堆叠电容具有闪存器件中存储晶体管的结构，至少包括衬底以及沿所述衬底高度方向由低到高依次堆叠在所述衬底上的隧穿氧化层、浮栅极层、层间介质层和控制栅极层，其中，

所述堆叠电容区域中层间介质层顶部的第二氧化层被去除；形成所述堆叠电容的层间介质层由沿所述衬底高度方向由低到高依次堆叠的第一氧化层和氮化物层组成；

所述堆叠电容还包括引出所述控制栅极层的第一接触和引出所述浮栅极层的第二接触，以使所述浮栅极层和所述控制栅极层在外加电压下构成所述堆叠电容的一对极板；

其中，所述堆叠电容区域中层间介质层的氮化物层作为蚀刻停止层去除所述第二氧化层，以控制所述堆叠电容区域的层间介质层的等效电学厚度大于所述隧穿氧化层的等效电学厚度。

2.如权利要求1所述的堆叠电容，其特征在于，所述堆叠电容还包括分别引出所述存储晶体管的结构中的源漏离子区域的第三接触，所述源漏离子区域位于所述衬底上部；以及

所述第三接触并联于所述第一接触，以使所述浮栅极层和所述衬底在外加电压下构成所述堆叠电容的另一对极板。

3.一种闪存器件，所述闪存器件至少包括存储管区域和堆叠电容区域，所述存储管区域中的存储晶体管至少包括衬底以及沿所述衬底高度方向由低到高依次堆叠在所述衬底上的隧穿氧化层、浮栅极层、层间介质层和控制栅极层，所述堆叠电容区域中的堆叠电容具有所述存储晶体管的结构，其中，

所述堆叠电容区域中层间介质层顶部的第二氧化层被去除；形成所述堆叠电容的层间介质层由沿所述衬底高度方向由低到高依次堆叠的第一氧化层和氮化物层组成；

所述堆叠电容还包括引出所述控制栅极层的第一接触和引出所述浮栅极层的第二接触，以使所述浮栅极层和所述控制栅极层在外加电压下构成所述堆叠电容的一对极板；

其中，所述堆叠电容区域中层间介质层的氮化物层作为蚀刻停止层去除所述第二氧化层，以控制所述堆叠电容区域的层间介质层的等效电学厚度大于所述隧穿氧化层的等效电学厚度。

4.如权利要求3所述的闪存器件，其特征在于，所述堆叠电容还包括分别引出所述存储晶体管的结构中的源漏离子区域的第三接触，所述源漏离子区域位于所述衬底上部；以及

所述第三接触并联于所述第一接触，以使所述浮栅极层和所述衬底在外加电压下构成所述堆叠电容的另一对极板。

5.如权利要求3所述的闪存器件，其特征在于，形成所述存储晶体管的层间介质层包括沿所述衬底高度方向由低到高依次堆叠的第一氧化层、氮化物层和第二氧化层。

6.如权利要求5所述的闪存器件，其特征在于，所述闪存器件还包括低压器件区域，所述低压器件区域中的低压器件至少包括衬底、衬底上方的控制栅极以及衬底与控制栅极之间的层间介质层；以及

形成所述低压器件的层间介质层至少包括厚度小于所述第二氧化层的低压薄氧层。

7.一种闪存器件的制造方法，所述闪存器件至少包括存储管区域和堆叠电容区域，其特征在于，所述制造方法包括：

同步地在所述存储管区域和所述堆叠电容区域的衬底上依次形成隧穿氧化层、浮栅极层以及包含第一氧化层、氮化物层和第二氧化层的层间介质层；

去除所述堆叠电容区域中层间介质层顶部的第二氧化层；

同步地在在所述存储管区域和所述堆叠电容区域的层间介质层上形成控制栅极层和引出所述控制栅极层的第一接触；以及

在所述堆叠电容区域形成引出浮栅极层的第二接触，以使所述堆叠电容区域的浮栅极层和控制栅极层在外加电压下构成堆叠电容的一对极板；

其中，去除所述堆叠电容区域中层间介质层顶部的第二氧化层进一步包括：

以所述堆叠电容区域中层间介质层的氮化物层为蚀刻停止层去除所述第二氧化层，以控制所述堆叠电容区域的层间介质层的等效电学厚度大于所述隧穿氧化层的等效电学厚度。