[发明专利]一种靶材的加工工艺

说明书

本发明涉及一种靶材的加工工艺，所述靶材为G8.5钼靶材；所述工艺包括：依次进行精铣焊接面‑半精铣溅射面‑精铣溅射面‑精铣外形‑精铣R角。本发明中，通过合理安排加工工艺、选择自制刀具、设置合理加工参数、冷却方式，使得加工G8.5钼靶平面度、平行度以及产品表面粗糙度达到半导体产品的要求。

技术领域

本发明涉及靶材加工领域，具体涉及一种靶材的加工工艺。

背景技术

G8.5钼靶一种长方型金属材料的液晶靶材，其长度比较长，厚度比较薄，材料硬度很高，加工时容易出现变形、振动及刀具磨损过快导致表面铣的很粗糙，使得产品的平面度、平行度以及产品表面粗超度不能达到半导体产品的要求。

靶材加工时受到刀具切削的力作用时，为使其不变形，在材料内部产生与之相对抗的内力，这两种力大小相等方向相反所以在加工过程中达到一种平衡。当加工完成后靶材受到刀具切削力消失，内部的平衡被打破产品内部产生与之抗衡的内应力发生不规则的变化导致产品发生不规则的变形。CN102059582A公开了一种钼靶材的加工方法，包括：提供钼靶材；提供冷却介质，所述冷却介质包括乳化液和水；在切削加工的过程中，将所述冷却介质均匀地喷射于被加工的钼靶材表面和加工刀具表面；所述加工刀具转速为2500～3000转/分钟，进给量为小于等于0.2毫米/次，进给速度为300～350毫米/分钟。本发明提供的钼靶材加工方法，可以改善加工效果，避免了钼靶材在加工过程中出现裂缝或崩裂的问题。CN108642457A公开了一种高世代钼靶材的生产方法，该生产方法包括：1、将两种粒径范围不同的钼粉在真空条件下混合，过筛后得到混合粉料；2、将混合粉料进行等静压处理；3、烧结处理；4、热轧处理；5；真空退火；6、水切割、铣削加工、磨床加工。通过该方法得到的钼靶材的长度可达3500mm以上，厚度≤30mm，宽度≤600mm，平面度小于0.08mm，钼含量≥99.97％，该生产方法的生产效率高，所得高世代钼靶材的致密度≥99.5％，钼靶材内部组织无气孔、裂纹、分层、夹杂等缺陷，其表面粗糙度＜0.6um，平均晶粒≤80um，晶粒均匀，可作为G10.5代线平面显示器生产的高纯钼靶；本发明提供的高世代钼靶材的生产方法，制备方法简单，生产成本较低，成品率高，有利于工业化生产。

发明内容

鉴于现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种靶材的加工工艺，通过合理安排加工工艺、选择自制刀具、设置合理加工参数、冷却方式，使得加工G8.5钼靶平面度、平行度以及产品表面粗糙度达到半导体产品的要求。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供了一种靶材的加工工艺，所述靶材为G8.5钼靶材；所述工艺包括：依次进行精铣焊接面-半精铣溅射面-精铣溅射面-精铣外形-精铣R角。

通过合理安排加工工艺(采用吸盘装夹方式，然后用250mm盘刀整体铣面的加工方法)、合理选择刀具、设置合理加工参数、冷却方式，使得加工G8.5钼靶平面度、平行度以及产品表面粗糙度达到半导体产品的要求。

作为本发明优选的技术方案，所述精铣焊接面中的刀具包括250mm盘刀。

优选地，所述精铣焊接面中的主轴转速为200-5000m/s，例如可以是200m/s、200m/s、500m/s、1000m/s、2000m/s、3000m/s、4000m/s或5000m/s等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。

优选地，所述精铣焊接面中的进给量为100-1000mm/min，例如可以是100mm/min、200mm/min、300mm/min、400mm/min、500mm/min、600mm/min、700mm/min、800mm/min、900mm/min或1000mm/min等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。