[发明专利]半导体加工设备的线圈驱动装置在审
申请号: | 202010225926.6 | 申请日: | 2020-03-26 |
公开(公告)号: | CN111270303A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 冯祥雷 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C30B23/00 | 分类号: | C30B23/00;C30B25/00;C30B29/36 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 加工 设备 线圈 驱动 装置 | ||
本发明提供一种半导体加工设备的线圈驱动装置,该装置包括第一驱动机构、第二驱动机构和切换机构,其中,第一驱动机构与切换机构连接,用于通过切换机构向线圈提供能够使之以第一速度运动的动力;第二驱动机构与切换机构连接,用于通过切换机构向线圈提供能够使之以第二速度运动的动力,第二速度大于第一速度;切换机构用于在第一状态和第二状态之间切换,第一状态为将第一驱动机构与线圈接合,且将第二驱动机构与线圈分离;第二状态为将第二驱动机构与线圈接合,且将第一驱动机构与线圈分离。本发明提供的半导体加工设备的线圈驱动装置,其可以以两种不同的速度驱动线圈运动,从而可以满足晶体生长的不同阶段的要求。
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域,具体地,涉及一种半导体加工设备的线圈驱动装置。
背景技术
碳化硅(SiC)单晶具有高导热率、高击穿电压、高载流子迁移率极高、高化学稳定性等优良的半导体物理性质,可以制作成在高温、强辐射条件下工作的高频、高功率电子器件和光电子器件,在多个领域中具有巨大的应用价值,被看作是极具发展前景的第三代宽禁带半导体材料。
SiC单晶材料的生长需要特殊的工艺设备。该工艺设备主要由生长炉组件、加热组件、气体输送组件及控制组件等结构组成,其中,加热组件中的电磁感应线圈作为发热装置,对晶体生长腔室至关重要。晶体生长过程中,需要根据晶体生长的不同阶段,对线圈位置进行相应调整,以保证晶体生长的温度场均匀性及核心生长区域的温度梯度。
因此,目前亟需一种能够调整线圈位置的驱动装置,以实现对晶体温度场的精确控制。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种半导体加工设备的线圈驱动装置,其可以以两种不同的速度驱动线圈运动,从而可以满足晶体生长的不同阶段的要求,实现对晶体温度场的精确控制。
为实现上述目的,本发明提供了一种半导体加工设备的线圈驱动装置,包括第一驱动机构、第二驱动机构和切换机构,其中,
所述第一驱动机构与所述切换机构连接,用于通过所述切换机构向线圈提供能够使之以第一速度运动的动力;
所述第二驱动机构与所述切换机构连接,用于通过所述切换机构向所述线圈提供能够使之以第二速度运动的动力,所述第二速度大于所述第一速度;
所述切换机构用于在第一状态和第二状态之间切换,所述第一状态为将所述第一驱动机构与所述线圈接合,且将所述第二驱动机构与所述线圈分离;所述第二状态为将所述第二驱动机构与所述线圈接合,且将所述第一驱动机构与所述线圈分离。
可选的,所述切换机构包括第一离合部件、第二离合部件和同步传动组件,其中,
所述第一离合部件连接在所述同步传动部件与所述第一驱动机构之间,且能够接合或分离;所述第二离合部件连接在所述同步传动部件与所述第二驱动机构之间,且能够接合或分离;
所述同步传动组件与所述线圈连接,且能够在所述第一离合部或者第二离合部接合时,将所述第一驱动机构或者所述第二驱动机构提供的动力传递至所述线圈。
可选的,所述第一离合部件和第二离合部件均为离合器。
可选的,所述第一驱动机构和第二驱动机构提供的动力均为旋转动力,且所述线圈驱动装置还包括升降模组,所述升降模组分别与所述线圈和所述同步传动组件连接,用以将所述同步传动组件传递而来的旋转动力转换为竖直方向上的直线动力。
可选的,所述同步传动组件包括第一带轮、第二带轮和同步带,其中,所述第一带轮与所述第一离合部件连接;所述第二带轮与所述第二离合部件连接;所述同步带缠绕在所述第一带轮和第二带轮上;并且,所述第一带轮或者第二带轮与所述升降模组连接。
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