[发明专利]RI制造装置用自屏蔽体在审
| 申请号： | 202010226331.2 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111757585A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 鹈野浩行 | 申请（专利权）人： | 住友重机械工业株式会社 |
| 主分类号： | H05H6/00 | 分类号： | H05H6/00;A61B6/03;A61B6/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 任玉敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ri 制造 装置 屏蔽 | ||
【权利要求书】：
1.一种RI制造装置用自屏蔽体，其在内部配置有加速器及RI制造装置且在该内部通过将来自所述加速器的带电粒子线照射于靶上来完成放射性同位素的制造，所述RI制造装置用自屏蔽体具备：
第1层，通过屏蔽γ射线的第1γ射线屏蔽材料来形成；
第2层，配置于比所述第1层更靠外周侧的位置，并通过比所述第1层的γ射线屏蔽材料具有更高的中子屏蔽性且比重比所述第1层的所述γ射线屏蔽材料小的中子屏蔽材料来形成；及
第3层，配置于比所述第2层更靠外周侧的位置，并通过比所述第2层的所述中子屏蔽材料具有更高的γ射线屏蔽性的第2γ射线屏蔽材料来形成。
2.根据权利要求1所述的RI制造装置用自屏蔽体，其中，
所述第3层的所述第2γ射线屏蔽材料的比重比所述第1层的所述第1γ射线屏蔽材料小。
3.根据权利要求1或2所述的RI制造装置用自屏蔽体，其中，
所述第1层配置于所述自屏蔽体中的最内周侧。
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