[发明专利]RI制造装置用自屏蔽体

说明书

本发明的目的在于提供一种能够减轻重量的RI制造装置用自屏蔽体。自屏蔽体(6)中，第1层(21)屏蔽一次γ射线(L1)，第2层(22)屏蔽中子(L2)，且比第2层(22)更靠外周侧的第3层(23)屏蔽捕获γ射线(L3)。在此，第2层(22)配置于第1层(21)的外周侧，因此第1层(21)配置于比第2层(22)更靠近靶(T)的位置。通过这种配置能够减小γ射线屏蔽材料的体积。因此，能够减轻第1层(21)的重量。并且，中子(L2)穿过第1层(21)，因此可获得中子(L2)的减速效果，从而第2层(22)能够更有效地屏蔽中子(L2)。因此，能够将第2层(22)设为比比较例更薄，从而能够减轻重量。

技术领域

本申请主张基于2019年3月29日申请的日本专利申请第2019-066384号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。

本发明涉及一种RI(放射性同位素)制造用自屏蔽体。

背景技术

作为脑或心脏、癌症等精密检查中的检查方法，有正电子发射断层摄影法(PET：Positron Emission Tomography(正电子发射断层扫描))。该PET检查中，将由释放正电子(正子)的放射性同位素(正子放射核种)标记的检查用药剂通过注射或吸入等导入至被实验者的体内。被导入至体内的检查用药剂被代谢或积蓄在特定的部位(例如，肿瘤或病变位置)中。从放射性同位素释放的正子与周围的电子结合而消除时会释放放射线(消除γ射线)，因此通过检测该放射线并由计算机进行处理，变得能够获得特定截面中的断层摄影图像。

作为用于制造这种放射性同位素(RI)的装置，例如已知有专利文献1的装置。该装置中，在自屏蔽体的内部配置有粒子加速器，并将来自该粒子加速器的带电粒子线照射于靶上来制造放射性同位素。

专利文献1：日本特开2000-105293号公报

在此，如上述的RI制造装置用自屏蔽体具有用于屏蔽中子或γ射线等的多个层。作为用于进行这种屏蔽的材料，有时使用比重大的材料。因此，存在自屏蔽体的重量变重之类的问题。自屏蔽体设置于建筑物的地面上，因此从地面的耐荷载的观点等而言，要求减轻自屏蔽体的重量。

发明内容

因此，本申请发明的目的在于提供一种能够减轻重量的RI制造装置用自屏蔽体。

本发明的RI制造装置用自屏蔽体在内部配置有加速器及RI制造装置且在该内部通过将来自加速器的带电粒子线照射于靶上来完成放射性同位素的制造，该RI制造装置用自屏蔽体具备：第1层，通过屏蔽γ射线的第1γ射线屏蔽材料来形成；第2层，配置于比第1层更靠外周侧的位置，并通过比第1层的γ射线屏蔽材料具有更高的中子屏蔽性且比重比第1层的γ射线屏蔽材料小的中子屏蔽材料来形成；及第3层，配置于比第2层更靠外周侧的位置，并通过比第2层的中子屏蔽材料具有更高的γ射线屏蔽性的第2γ射线屏蔽材料来形成。

RI制造装置用自屏蔽体中，第1层屏蔽一次γ射线，第2层屏蔽中子，比第2层更靠外周侧的第3层屏蔽捕获γ射线。具体而言，第2层配置于第1层的外周侧，因此第1层配置于比第2层更靠近靶的位置。这种配置中，与如第1层配置于比第2层更靠外周侧的位置的结构相比，通过将第1层的厚度设为相同，能够获得等同的γ射线屏蔽性能的同时，能够减小γ射线屏蔽材料的体积。因此，能够减轻第1层的重量。并且，中子穿过第1层，因此可获得中子的减速效果，从而第2层能够更有效地屏蔽中子。因此，能够将第2层设为薄，并能够减轻重量。另一方面，捕获γ射线不穿过第1层，因此第3层应屏蔽的捕获γ射线增加，但是捕获γ射线在放射线整体中所占比例低，因此对于重量增加没有显著的影响。通过以上，能够减轻自屏蔽体的重量。

第3层的第2γ射线屏蔽材料的比重可以比第1层的第1γ射线屏蔽材料的比重小。由此，在自屏蔽体内，能够减少比重大的材料的量。

第1层可以配置于自屏蔽体中的最内周侧。由此，能够减小第1层的γ射线屏蔽材料的体积。

发明效果