[发明专利]光刻设备和光刻工艺中的方法在审

专利信息
申请号: 202010227073.X 申请日: 2016-03-09
公开(公告)号: CN111352309A 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: J·P·克罗斯;K·N·S·库特奥;R·埃尔鲍布希;R·J·T·鲁滕;P·J·C·H·斯姆德斯;M·L·P·维瑟;J·S·C·韦斯特拉肯 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 吕世磊
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光刻 设备 工艺 中的 方法
【说明书】:

一种用于光刻设备中的部件,所述部件具有表面,所述表面面对另一部件的另一表面,所述部件和所述另一部件被配置成经历相对于彼此的相对移动,其中所述表面容纳有屏障系统,所述屏障系统被配置成提供可操作用于减少或防止环境气体向所述表面与所述另一表面之间的气体的被保护体积中的流入的屏障,所述屏障系统包括:至少一个第一开口,适于第一气体从其流动,以用于建立包围被保护体积的与所述表面相邻的部分的气体幕帘;和至少一个第二开口,相对于被保护体积在所述至少一个第一开口的径向内侧并且适于第二气体从其流动,以用于被夹带到第一气体的流动中;其中所述屏障系统被配置成使得所述第二气体的流动与所述第一气体的流动相比更不湍流。

本申请是申请日为2016年3月9日、申请号为201680022789.8、发明名称为“光刻设备和光刻工艺中的方法”的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及光刻设备和光刻工艺中的方法。

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加到衬底上(通常到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以例如用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,备选地称为掩模或掩模版的图案形成装置可以用于生成要形成在IC的单独层上的电路图案。该图案可以被转移到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括裸片的一部分、一个或若干裸片)上。图案的转移典型地凭借成像到设置于衬底上的一层辐射敏感材料(抗蚀剂)上。一般来说,单个衬底将包含相继地被图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器。在步进器中,通过使整个图案一次性曝光到目标部分上来辐照各目标部分。另一已知光刻设备包括所谓的扫描器。在扫描器中,通过在给定方向(“扫描”方向)上通过投影辐射束扫描图案而同时同步地平行于或反向平行于该给定方向扫描衬底来辐照各目标部分。也可以通过将图案压印到衬底上而使图案从图案形成装置转移至衬底。

在向衬底上转移图案开始之前和/或期间,光刻设备进行测量。示例测量是衬底相对于参考框架或投影系统的位置,图案通过投影系统被投影。测量可以使用测量辐射束来进行。

被称作吞吐量的光刻设备在衬底上施加期望的图案的速率是光刻设备中的主要性能标准。较快的吞吐量是期望的。吞吐量依赖于多个因素。吞吐量所依赖的一个因素是进行向衬底上转移图案的速度。吞吐量所依赖的另一因素是在图案的转移之前需要的测量可以进行的速度。因而,在向衬底上转移图案期间和在测量期间具有衬底的高的移动速度是有益的。然而,重点的是在高的移动速度下维持测量和图案的转移的准确度。

光刻设备中的测量辐射束通过被称为环境气体的气体。环境气体的特性上的局部波动可能会影响通过它的测量辐射束。投影辐射束可能会以与测量辐射束相同的方式受到影响。因而,本发明的目的是提供一种在测量辐射束和/或投影辐射束所通过的位置处在环境气体的特性方面具有减小的波动的设备。

发明内容

根据本发明的一方面,提供了一种光刻设备,包括被配置成经历相对于彼此的相对移动的第一部件和第二部件,其中:第一部件具有第一表面;第二部件具有第二表面,第一表面和第二表面彼此面对;第一表面容纳有屏障系统,屏障系统被配置成提供可操作用于减少或防止环境气体向第一表面与第二表面之间的气体的被保护体积中的流入的屏障,屏障系统包括:至少一个幕帘开口,适于幕帘气体从其流动,以用于建立包围被保护体积的与第一表面相邻的部分的气体幕帘;和至少一个内夹带开口,适于内夹带气体从其流动,以用于被夹带到幕帘气体的流动中;其中光刻设备被配置成使得内夹带气体的流动与幕帘气体的流动相比更不湍流;并且至少一个内夹带开口相对于被保护体积在至少一个幕帘开口的径向内侧。

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