[发明专利]太阳能电池单元的制造方法、太阳能电池单元、太阳能电池模块

权利要求书

1.一种太阳能电池单元的制造方法，包括：

准备切割用太阳能电池单元的步骤，所述切割用太阳能电池单元中，具有第一导电型的第一面与至少具有与所述第一导电型不同的第二导电型的部分的第二面朝向相反；

在所述切割用太阳能电池单元的所述第一面上，配置所述第一导电型的掺杂剂源的步骤；以及

对所述掺杂剂源照射激光的步骤。

2.一种太阳能电池单元的制造方法，包括：

准备切割用太阳能电池单元的步骤，所述切割用太阳能电池单元中，具有第一导电型的第一面与至少具有与所述第一导电型不同的第二导电型的部分的第二面朝向相反；以及

向所述切割用太阳能电池单元的所述第一面上，一边供给所述第一导电型的掺杂剂气体一边照射激光的步骤。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池单元的制造方法，

在所述切割用太阳能电池单元中，层叠具有所述第一导电型的半导体层、和具有所述第二导电型的半导体基板，

所述半导体层包括所述第一面，

所述半导体基板包括所述第二面。

4.根据权利要求1或2所述的太阳能电池单元的制造方法，

在所述切割用太阳能电池单元中，依次层叠具有所述第一导电型的第一半导体层、具有所述第一导电型的半导体基板、具有所述第二导电型的第二半导体层，

所述第一半导体层包括所述第一面，

所述第二半导体层包括所述第二面。

5.根据权利要求1或2所述的太阳能电池单元的制造方法，

在所述切割用太阳能电池单元中，层叠具有所述第二导电型的半导体层、具有所述第一导电型的半导体基板，

所述半导体层包括所述第二面，

所述半导体基板包括所述第一面。

6.根据权利要求1或2所述的太阳能电池单元的制造方法，

在所述切割用太阳能电池单元中，依次层叠具有所述第二导电型的第一半导体层、第二导电型的半导体基板、具有所述第一导电型的第二半导体层，

所述第一半导体层包括所述第二面，

所述第二半导体层包括所述第一面。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的太阳能电池单元的制造方法，还包括：

通过照射所述激光，将所述切割用太阳能电池单元切割为多个太阳能电池单元的步骤。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的太阳能电池单元的制造方法，还包括：

通过照射所述激光，在所述切割用太阳能电池单元的所述第一面上，形成切割用的槽的步骤；以及

沿着所述切割用的槽，将所述切割用太阳能电池单元切割为多个太阳能电池单元的步骤。

9.一种太阳能电池单元，包括：

具有第一导电型的第一面，

与所述第一面朝向相反，并且至少具有与所述第一导电型不同的第二导电型的部分的第二面，以及

配置在所述第一面和所述第二面之间的侧面；

在所述侧面中，在所述第一面侧配置第一区域，在所述第二面侧配置第二区域，并且所述第一区域中的所述第一导电型的第一杂质浓度高于所述第二区域中的所述第一导电型的第二杂质浓度。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池单元，

从所述第二面朝向所述第一面的方向上的、从所述第二面起的所述第二区域的长度为从所述第二面向所述第一面的长度的10％以上。

11.一种太阳能电池模块，

包括多个太阳能电池单元，

所述多个太阳能电池单元分别包括：

具有第一导电型的第一面，

朝向与所述第一面相反，并且至少具有与所述第一导电型不同的第二导电型的部分的第二面，以及

被配置在所述第一面和所述第二面之间的侧面，

在所述侧面中，在所述第一面侧配置第一区域，在所述第二面侧配置第二区域，并且所述第一区域中的所述第一导电型的第一杂质浓度高于所述第二区域中的所述第一导电型的第二杂质浓度。