[发明专利]太阳能电池单元的制造方法、太阳能电池单元、太阳能电池模块

说明书

提供一种抑制切割导致的发电输出降低的太阳能电池单元的制造方法以及切割用太阳能电池单元。在切割用太阳能电池单元(1000)中，具有第一导电型的第一面(14)与，至少具有与第一导电型不同的第二导电型的部分的第二面(16)朝向相反。准备这样的切割用太阳能电池单元(1000)。在切割用太阳能电池单元(1000)中的第一面(14)上，配置有第一导电型的掺杂剂源(74)。对掺杂剂源(74)照射激光(76)。

技术领域

本公开涉及太阳能电池单元的制造技术，尤其是用于从可切割的切割用太阳能电池单元制造太阳能电池单元的太阳能电池单元的制造方法、太阳能电池单元、太阳能电池模块。

背景技术

在制造太阳能电池时，例如在半导体基板上形成薄膜层后，进行基于激光的加热照射(例如，参照专利文献1)。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本特开昭59－56775号公报

发明内容

[发明要解决的课题]

对晶体Si(硅)等的太阳能电池单元进行激光切割加工时，在切割端面会形成结晶缺陷即激光损伤。由于激光损伤，输出特性会降低。

本公开是鉴于这样的状况而提出的，其目的在于提供一种抑制切割导致的发电输出降低的技术。

[用于解决技术问题的方法]

为了解决上述课题，本公开的一方式的太阳能电池单元的制造方法，包括：准备切割用太阳能电池单元的步骤，切割用太阳能电池单元中，具有第一导电型的第一面与至少具有与第一导电型不同的第二导电型的部分的第二面朝向相反；在切割用太阳能电池单元的第一面上，配置第一导电型的掺杂剂源的步骤；以及对掺杂剂源照射激光的步骤。

本公开的其他方式也是太阳能电池单元的制造方法。该方法包括：准备切割用太阳能电池单元的步骤，切割用太阳能电池单元中，具有第一导电型的第一面与至少具有与第一导电型不同的第二导电型的部分的第二面朝向相反；以及向切割用太阳能电池单元的第一面上，一边供给第一导电型的掺杂剂气体一边照射激光的步骤。

本公开的另一其他方式为太阳能电池单元。该太阳能电池单元包括：具有第一导电型的第一面；与第一面朝向相反，并且至少具有与第一导电型不同的第二导电型的部分的第二面；以及被配置在第一面和第二面之间的侧面。在侧面中，在第一面侧配置第一区域，在第二面侧配置第二区域，并且第一区域中的第一导电型的第一杂质浓度高于第二区域中的第一导电型的第二杂质浓度。

本公开的另一其他方式是太阳能电池模块。该太阳能电池模块包括多个太阳能电池单元。多个太阳能电池单元的各个包括：具有第一导电型的第一面；与第一面朝向相反，并且至少具有与第一导电型不同的第二导电型的部分的第二面；以及被配置在第一面和第二面之间的侧面。在侧面中，在第一面侧配置第一区域，在第二面侧配置第二区域，并且第一区域中的第一导电型的第一杂质浓度高于第二区域中的第一导电型的第二杂质浓度。

[发明效果]

根据本公开，能够抑制切割导致的发电输出降低。

附图说明

图1是示出实施例的切割用太阳能电池单元的结构的俯视图。

图2的(a)－(c)是示出太阳能电池单元的制造步骤的概要的图。

图3是表示由图2(a)－(c)的制造步骤所制造的太阳能电池单元的结构的截面图。

图4的(a)－(d)是表示太阳能电池单元的制造步骤的具体示例的图。

图5的(a)－(d)是表示太阳能电池单元的制造步骤的其他的具体示例的图。