[发明专利]用于存储器装置的多维伪随机二进制序列分析

说明书

一种用于识别存储器系统中的单元耦合的方法，其包含生成二维伪随机二进制序列阵列。所述方法还包含对所述存储器系统的存储器块的多个单元执行擦除操作。所述方法还包含使用所述二维伪随机二进制序列阵列对所述多个单元执行写入操作。所述方法还包含对所述多个单元执行读取操作以识别所述多个单元中的每个单元的电压值。所述方法还包含使用所述多个单元中的所述每个单元的所述电压值来识别所述多个单元中的相应单元之间的单元耦合。

技术领域

本公开涉及存储器系统，且具体来，涉及一种用于所述存储器系统的多维伪随机二进制序列分析。

背景技术

非易失性存储器系统是一种无需外部电源即可保留所存储信息的存储器。非易失性存储器广泛用于各种电子装置和独立存储器装置中。例如，非易失性存储器可以存在于笔记本电脑、数码音频播放器、数码相机、智能手机、视频游戏、科学仪器、工业机器人、医疗电子器件、固态驱动器、USB驱动器、存储卡等中。非易失性存储器可以进行电子编程/重新编程和擦除。

在对此类存储器系统的存储器单元执行写入操作期间，将电压(例如，表示存储在存储器单元中的数据)施加到所述存储器单元。在典型存储器系统中，存储器单元可能影响相对接近存储器单元(例如，邻近存储器单元)的另一存储器单元的电压(例如，引起另一存储器单元的电压增加或降低)。这可以被称为单元耦合，并且可以发生在正被写入的存储器块中的多个无效存储器单元中(例如，作为写入操作的一部分)。此类单元耦合可能导致不准确的数据读取(例如，在对存储器单元执行读取操作期间)和/或通常可能降低存储器系统的性能。另外，随着存储器系统的复杂性继续增加，例如通过包含多级存储器单元(例如，2位或更多位/单元)、三级存储器单元(例如，3位/单元)、四级存储器单元(例如4位/单元)等，单元耦合可能增加，这可能越来越不合需要。

发明内容

本公开大体上涉及存储器管理系统和方法。

本公开实施例的一个方面是一种用于识别存储器系统中的单元耦合的方法。所述方法包含生成二维伪随机二进制序列阵列。所述方法还包含对所述存储器系统的存储器块的多个单元执行擦除操作。所述方法还包含使用所述二维伪随机二进制序列阵列对所述多个单元执行写入操作。所述方法还包含对所述多个单元执行读取操作以识别所述多个单元中的每个单元的电压值。所述方法还包含使用所述多个单元中的所述每个单元的所述电压值来识别所述多个单元中的相应单元之间的单元耦合。

本公开实施例的另一方面是一种控制器，其包含总线接口和处理器。所述总线接口与存储器系统的一个或多个存储器块通信。所述处理器配置成：接收二维伪随机二进制序列阵列；对所述一个或多个存储器块中的存储器块的多个单元执行擦除操作；使用所述二维伪随机二进制序列阵列对所述多个单元执行写入操作；对所述多个单元执行读取操作以识别所述多个单元中的每个单元的电压值；以及使用所述多个单元中的所述每个单元的所述电压值来识别所述多个单元中的相应单元之间的单元耦合。

本公开实施例的另一方面是一种用于识别存储器系统中的单元耦合的系统。所述系统包含至少一个存储器块和控制器。所述控制器与所述至少一个存储器块通信，并且包含配置成生成二维伪随机二进制序列阵列的伪随机二进制序列生成器。所述控制器还包含单元耦合检测器，所述单元耦合检测器配置成：对所述至少一个存储器块的多个单元执行擦除操作；使用所述二维伪随机二进制序列阵列对所述多个单元执行写入操作；对所述多个单元执行读取操作以识别所述多个单元中的每个单元的电压值；以及使用所述多个单元中的所述每个单元的所述电压值来识别所述多个单元中的相应单元之间的单元耦合。

本公开的这些和其它方面公开于实施例的以下详细描述、所附权利要求书和附图中。

附图说明

本公开当结合附图阅读时依据以下详细描述会得到最佳理解。应强调，根据惯例，附图的各种特征未按比例绘制。相反，为了清楚起见，各种特征的尺寸被任意扩大或缩小。