[发明专利]具有一体式器件的嵌入式桥衬底在审
申请号: | 202010227669.X | 申请日: | 2020-03-27 |
公开(公告)号: | CN112117264A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | A·K·简恩;S·谢卡尔;C·L·宽;K·J·多兰;D-H·韩 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L25/18;H01L23/538;H01L23/64;H01L21/98 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李炜;黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 体式 器件 嵌入式 衬底 | ||
1.一种微电子组件,包括:
衬底;
桥,具有第一表面和相对的第二表面,所述桥被嵌入在所述衬底中,其中,所述桥包括一体式无源部件,并且其中,所述桥的所述第二表面包括第一桥互连区域中的第一接触部以及第二桥互连区域中的第二接触部;
第一管芯,经由所述第一桥互连区域中的所述第一接触部被耦合到所述一体式无源部件;以及
第二管芯,被耦合到所述第二桥互连区域中的所述第二接触部。
2.如权利要求1所述的微电子组件,其中,所述一体式无源部件是薄膜电阻器TFR。
3.如权利要求2所述的微电子组件,其中,所述TFR是校准电路的部分。
4.如权利要求1所述的微电子组件,其中,所述一体式无源部件是电容器阵列。
5.如权利要求4所述的微电子组件,其中,所述电容器阵列中的各个电容器是以下之一:沟槽电容器、金属-氧化物-半导体MOS电容器、金属-绝缘体-金属MIM电容器、或平行平板电容器。
6.如权利要求4所述的微电子组件,其中,所述电容器阵列是输入/输出电路的部分。
7.如权利要求1所述的微电子组件,其中,所述一体式无源部件是第一一体式无源部件,并且其中,所述桥进一步包括第二一体式无源部件,所述第二一体式无源部件经由所述第一桥互连区域中的所述第一接触被耦合到所述第一管芯。
8.如权利要求7所述的微电子组件,其中,所述第一一体式无源部件是TFR,并且所述第二一体式无源部件是电容器。
9.如权利要求7所述的微电子组件,其中,所述第一一体式无源部件在所述桥的所述第二表面处。
10.如权利要求7所述的微电子组件,其中,所述第二一体式无源部件在所述桥的所述第一表面与所述第二表面之间。
11.一种计算设备,包括:
电路板;以及
集成电路IC封装,设置在所述电路板上,其中,所述IC封装包括:
封装衬底;
桥,具有相对的第一面和第二面,其中,所述第二面包括第一互连区域中的第一接触部以及第二互连区域中的第二接触部,其中,所述桥被嵌入在所述封装衬底中,并且其中,所述桥包括:
薄膜电阻器TFR,在所述第二面处,其中,所述TFR的导电部分设置在所述第一面与所述第二面之间的绝缘材料层上;以及
管芯,经由所述第一接触部被耦合到所述TFR。
12.如权利要求11所述的计算设备,其中,所述TFR是校准电路的部分。
13.如权利要求11所述的计算设备,其中,所述桥进一步包括:
所述第一面与所述第二面之间的电容器。
14.如权利要求11所述的计算设备,其中,所述TFR是所述桥的所述第二面处的多个TFR中的一个TFR。
15.如权利要求14所述的计算设备,其中,所述管芯是第一管芯,并且所述计算设备进一步包括:
第二管芯,经由所述第二接触部被耦合到所述多个TFR中的一个TFR。
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