[发明专利]带有具有曲率半径的存储节点的非易失性存储器

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

衬底中的填充孔，该填充孔包括半导体沟道膜；

围绕所述半导体沟道膜的存储节点，所述存储节点具有曲率半径，其中，所述存储节点的曲率半径小于或等于所述半导体沟道膜的半径；以及

围绕所述存储节点的控制栅。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述存储节点的面向沟道侧包括具有所述曲率半径的凹面。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述半导体沟道膜的面向存储节点侧包括凸面。

4.根据权利要求2所述的集成电路，其中：

所述半导体沟道膜的半径包括所述半导体沟道膜的最小半径；并且

所述存储节点的面向沟道侧上的凹面的曲率半径小于所述半导体沟道膜的最小半径。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述存储节点包括具有所述曲率半径的浮栅。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中：

所述浮栅的面向沟道侧包括具有所述曲率半径的凹面。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中：

所述浮栅的面向控制栅侧包括具有第二曲率半径的凹面。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中：

所述第二曲率半径小于或等于所述半导体沟道膜的半径。

9.根据权利要求5所述的集成电路，其中：

所述控制栅的面向存储节点侧包括凸面。

10.根据权利要求5所述的集成电路，其中：

所述浮栅的面向控制栅侧包括平坦表面。

11.根据权利要求5所述的集成电路，其中：

所述浮栅包括在所述浮栅的面向沟道侧和面向控制栅侧之间的渐缩的上边缘和下边缘；并且

其中，所述浮栅的高度在所述面向沟道侧处比在所述面向控制栅侧处更大。

12.根据权利要求11所述的集成电路，其中：

所述渐缩的上边缘和下边缘形成所述浮栅的多面的面向控制栅侧。

13.根据权利要求5所述的集成电路，其中：

所述浮栅包括在所述浮栅的面向沟道侧和面向控制栅侧之间的非渐缩的上边缘和下边缘。

14.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述存储节点包括具有所述曲率半径的电荷捕获层。

15.根据权利要求14所述的集成电路，其中：

所述电荷捕获层在垂直相邻的单元之间是连续的。

16.根据权利要求14所述的集成电路，其中：

所述电荷捕获层与垂直相邻单元的电荷捕获层隔离。

17.如权利要求1所述的集成电路，还包括：

所述半导体沟道膜周围的多个垂直堆叠的NAND存储器单元，所述多个垂直堆叠的NAND存储器单元带有具有不同曲率半径的存储节点。

18.一种非易失性存储设备，包括：

NAND存储器单元的阵列，所述阵列的单元包括：

半导体沟道膜周围的存储节点，所述存储节点包括小于或等于所述半导体沟道膜的半径的曲率半径；以及

控制电路，用于访问所述NAND存储器单元的阵列。

19.根据权利要求18所述的非易失性存储设备，其中：

所述存储节点的面向沟道侧包括具有所述曲率半径的凹面。