[发明专利]带有具有曲率半径的存储节点的非易失性存储器

说明书

描述了存储节点配置。存储节点(例如，三维(3D)NAND闪存设备的浮栅或电荷捕获层)包括具有曲率半径的面向沟道的表面。例如，存储节点的面向沟道的表面可以是凹形的。存储节点的面向控制栅的表面可以替代地或附加地还包括曲率半径。存储节点的面向沟道的表面和/或面向控制栅的表面的曲率半径小于或等于沟道层的半径。

技术领域

该描述通常涉及诸如三维(3D)NAND器件之类的非易失性存储设备，并且更具体的描述涉及非易失性存储设备的存储器/存储节点(例如，浮栅或电荷捕获)配置。

背景技术

诸如NAND闪存存储器之类的闪存存储装置是非易失性存储介质。非易失性存储装置是指即使设备断电也具有确定状态的存储装置。三维(3D)NAND闪存存储器是指这样的NAND闪存存储器：其中NAND串可以垂直构建，从而串的FET在彼此顶部堆叠。3D NAND和其他3D架构之所以吸引人，部分原因是相对于二维(2D)架构可以实现显著更高的位密度。因此，闪存存储装置越来越多地用于移动、客户端和企业部门。人们一直在努力提高3D非易失性存储器的位密度，但是，在尝试缩小特征尺寸时经常遇到重大挑战。

附图说明

以下描述包括对附图的讨论，这些附图具有通过本发明的实施例的实施方式的示例给出的图示。应该通过示例而非限制的方式来理解附图。如本文所使用的，对一个或多个“实施例”或“示例”的引用应理解为描述了本发明的至少一种实施方式中所包括的特定特征、结构和/或特性。因此，本文中出现的诸如“在一个实施例中”或“在一个示例中”之类的短语描述了本发明的各种实施例和实施方式，并且不一定都指代同一实施例。但是，它们也不一定相互排斥。

图1A示出了在沟道周围具有环绕栅结构的一串NAND存储单元的示例。

图1B和1C示出了存储单元的示例。

图2示出了NAND存储单元的阈值电压分布的示例。

图3A-3F示出了示例性存储节点的横截面。

图4A和4B示出了曲率半径相对于层间距如何缩放的示例。

图5是形成带有具有曲率半径的存储器节点的集成电路的过程的示例的流程图。

图6A-6O示出了形成带有具有曲率半径的存储器节点的集成电路的过程的各个阶段的截面侧视图和透视图。

图7A-7D示出了形成带有具有曲率半径的存储器节点的集成电路的过程的各个阶段的截面侧视图。

图8A-8N示出了形成带有具有曲率半径的存储器节点的集成电路的过程的各个阶段的截面侧视图。

图9是形成带有具有曲率半径的存储器节点的集成电路的过程的示例的流程图。

图10A-10F示出了形成带有具有曲率半径的存储器节点的集成电路的过程的各个阶段的截面侧视图。

图11是形成带有具有曲率半径的存储器节点的集成电路的过程的示例的流程图。

图12A-12G示出了形成带有具有曲率半径的存储器节点的集成电路的过程的各个阶段的截面侧视图。

图13A-13D示出了带有具有曲率半径的存储器节点的存储器单元的几种变型的截面图。

图14示出了带有具有曲率半径的存储器节点的存储器单元的另一变形。

图15描绘了具有存储器设备的系统的示例。

图16描绘了计算系统。

接下来是对某些细节和实施方式的描述，包括对附图的描述，附图可以描绘以下描述的一些或全部实施例，以及讨论本文提出的发明构思的其他可能的实施例或实施方式。

具体实施方式