[发明专利]存储器的编程方法及存储器的编程装置有效
| 申请号： | 202010231175.9 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111462804B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王启光;刘红涛 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;H01L27/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 编程 方法 装置 | ||
1.一种存储器的编程方法，其特征在于，包括：
获取存储器的存储单元的编程温度；
在所述编程温度小于预设温度的条件下，采用逐次增大的编程电压对所述存储单元进行编程，直至所述存储单元满足预设条件，其中，相邻两次所述编程电压的差值小于预设差值，以使得所述存储单元在小于所述预设温度的条件下编程，在大于等于所述预设温度的条件下读取时，所述存储单元的阈值电压的分布变窄，整个编程态的分布变窄，态与态之间的读窗口变大。
2.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，所述编程方法还包括：
在所述编程温度小于所述预设温度的条件下，所述编程电压每次对所述存储单元进行编程的时间小于预设时间。
3.根据权利要求1或2所述的编程方法，其特征在于，所述编程方法还包括：
在所述编程温度大于等于所述预设温度的条件下，采用逐次增大的编程电压对所述存储器的存储单元进行编程，直至所述存储单元满足所述预设条件，其中，相邻两次所述编程电压的差值大于等于预设差值。
4.根据权利要求3所述的编程方法，其特征在于，所述编程方法还包括：
在所述编程温度大于等于所述预设温度的条件下，所述编程电压每次对所述存储单元进行编程的时间大于等于预设时间。
5.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，所述存储器编程为步进式脉冲编程(ISPP)，在所述存储器的存储单元经编程满足所述预设条件后，所述编程方法还包括：
在下一脉冲对所述存储单元执行编程抑制。
6.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，所述预设条件为所述存储单元的阈值电压大于等于目标阈值。
7.一种存储器的编程装置，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取存储器的存储单元的编程温度；
控制模块，用于在所述编程温度小于预设温度的条件下，控制采用逐次增大的编程电压对所述存储单元进行编程，直至所述存储单元满足预设条件，其中，相邻两次所述编程电压的差值小于预设差值，以使得所述存储单元在小于所述预设温度的条件下编程，在大于等于所述预设温度的条件下读取时，所述存储单元的阈值电压的分布变窄，整个编程态的分布变窄，态与态之间的读窗口变大。
8.根据权利要求7所述的编程装置，其特征在于，所述控制模块还用于在所述编程温度小于所述预设温度的条件下，控制所述编程电压对所述存储单元进行编程的时间小于预设时间。
9.根据权利要求7或8所述的编程装置，其特征在于，所述控制模块还用于在所述编程温度大于等于所述预设温度的条件下，控制采用逐次增大的编程电压对所述存储器的存储单元进行编程，直至所述存储单元满足所述预设条件，其中，相邻两次所述编程电压的差值大于等于预设差值。
10.根据权利要求9所述的编程装置，其特征在于，所述控制模块还用于在所述编程温度大于等于所述预设温度的条件下，控制所述编程电压对所述存储单元进行编程的时间大于等于预设时间。
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