[发明专利]存储器的编程方法及存储器的编程装置

说明书

本发明提供一种本发明提供一种存储器的编程方法及存储器的编程装置。编程方法包括：获取存储器的存储单元的编程温度；在所述编程温度小于预设温度的条件下，采用逐次增大的编程电压对所述存储单元进行编程，直至所述存储单元满足预设条件，其中，相邻两次所述编程电压的差值小于预设差值。本发明解决了存储单元的阈值电压分布展宽，整个编程态的分布变宽，态与态之间的读窗口变小，容易导致读取错误的技术问题。

技术领域

本发明涉及存储器件技术领域，特别涉及一种存储器的编程方法及存储器的编程装置。

背景技术

三维NAND存储结构由于其高存储密度，成熟的制备工艺，已经成为成功商业化的主流存储结构之一。随着应用领域扩大，三维NAND在不同温度下的可靠性成为重要产品验证项目。

在对存储器的各存储单元进行编程后，使各存储单元的阈值电压改变，从而实现信息存储。一般对存储单元的编程-测试方法为：低温编程，高温读取；高温编程，低温读取。然而，在较低的编程温度下，整个编程态的阈值电压分布较宽，当在高温下进行读操作时，不同的存储单元之间的特性不同，存储单元的阈值电压发生漂移，阈值电压分布展宽，整个编程态的分布变宽，态与态之间的读窗口变小，容易导致读取错误。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器的编程方法及存储器的编程装置，以解决存储单元的阈值电压分布展宽，整个编程态的分布变宽，态与态之间的读窗口变小，容易导致读取错误的技术问题。

本发明提供一种存储器的编程方法，包括：

获取存储器的存储单元的编程温度；

在所述编程温度小于预设温度的条件下，采用逐次增大的编程电压对所述存储单元进行编程，直至所述存储单元满足预设条件，其中，相邻两次所述编程电压的差值小于预设差值。

其中，所述编程方法还包括：

在所述编程温度小于所述预设温度的条件下，所述编程电压每次对所述存储单元进行编程的时间小于预设时间。

其中，所述编程方法还包括：

在所述编程温度大于等于所述预设温度的条件下，采用逐次增大的编程电压对所述存储器的存储单元进行编程，直至所述存储单元满足所述预设条件，其中，相邻两次所述编程电压的差值大于等于预设差值。

其中，所述编程方法还包括：

在所述编程温度大于等于所述预设温度的条件下，所述编程电压每次对所述存储单元进行编程的时间大于等于预设时间。

其中，所述存储器编程为步进式脉冲编程(ISPP)，在所述存储器的存储单元经编程满足所述预设条件后，所述编程方法还包括：

在下一脉冲对所述存储单元执行编程抑制。

其中，所述预设条件为所述存储单元的阈值电压大于等于目标阈值。

本发明提供一种存储器的编程装置，包括：

获取模块，用于获取存储器的存储单元的编程温度；

控制模块，用于在所述编程温度小于预设温度的条件下，控制采用逐次增大的编程电压对所述存储单元进行编程，直至所述存储单元满足预设条件，其中，相邻两次所述编程电压的差值小于预设差值。

其中，所述控制模块还用于在所述编程温度小于所述预设温度的条件下，控制所述编程电压对所述存储单元进行编程的时间小于预设时间。

其中，所述控制模块还用于在所述编程温度大于等于所述预设温度的条件下，控制采用逐次增大的编程电压对所述存储器的存储单元进行编程，直至所述存储单元满足所述预设条件，其中，相邻两次所述编程电压的差值大于等于预设差值。