[发明专利]具有背面金属接触部和子鳍状物区域的无衬底FINFET二极管结构

权利要求书

1.一种二极管器件，包括：

第一导电区域和绝缘体区域之上的第一鳍状物区域；

第二导电区域和所述绝缘体区域之上的第二鳍状物区域，其中，所述第二鳍状物区域与所述第一鳍状物区域横向相邻，并且其中，所述绝缘体区域在所述第一导电区域与所述第二导电区域之间；

所述第一导电区域上的第一导电过孔，其中，所述第一导电过孔与所述第一鳍状物区域垂直相邻；以及

所述第二导电区域上的第二导电过孔，其中，所述第二导电过孔与所述第二鳍状物区域垂直相邻。

2.根据权利要求1所述的二极管器件，还包括：

所述第一鳍状物区域上的多个第一部分；

所述第二鳍状物区域上的多个第二部分；

所述第一鳍状物区域和所述第二鳍状物区域之上的多个栅电极，其中，所述多个栅电极在所述多个第一部分与所述多个第二部分之间；以及

多个导电接触部，所述多个导电接触部在所述多个第一部分和所述多个第二部分以及所述第一鳍状物区域和所述第二鳍状物区域之上，其中，所述多个栅电极在所述多个导电接触部之间。

3.根据权利要求1或2所述的二极管器件，其中，所述第一导电过孔和所述第二导电过孔耦合到所述多个导电接触部。

4.根据权利要求1或2所述的二极管器件，其中，所述第一鳍状物区域包括第一N型掺杂材料，并且其中，所述第二鳍状物区域包括第一P型掺杂材料。

5.根据权利要求2所述的二极管器件，其中，所述多个第一部分包括第二N型掺杂材料，并且其中，所述多个第二部分包括第二P型掺杂材料。

6.根据权利要求2所述的二极管器件，其中，所述多个栅电极包括多晶硅材料。

7.根据权利要求2所述的二极管器件，还包括所述多个导电接触部之上的多个导电线。

8.根据权利要求1或2所述的二极管器件，其中，所述第一导电区域是阴极区域，其中，所述第二导电区域是阳极区域，并且其中，所述第一鳍状物区域的界面侧壁与所述第二鳍状物区域的界面侧壁直接相邻并耦合。

9.根据权利要求2所述的二极管器件，其中，所述第一导电过孔和所述第二导电过孔的顶表面与所述多个导电接触部的顶表面基本上共面。

10.根据权利要求8所述的二极管器件，其中，所述第一导电过孔导电耦合到所述阴极区域，其中，所述第二导电过孔导电耦合到所述阳极区域，并且其中，所述第一鳍状物区域和所述第二鳍状物区域的界面侧壁位于所述绝缘体区域之上。

11.一种二极管器件，包括：

第一导电区域和绝缘体区域之上的第一鳍状物区域；

第二导电区域和所述绝缘体区域之上的第二鳍状物区域，其中，所述第二鳍状物区域与所述第一鳍状物区域横向相邻，并且其中，所述绝缘体区域在所述第一导电区域与所述第二导电区域之间；

所述第一导电区域之上的第一导电过孔，其中，所述第一导电过孔与所述第一鳍状物区域平行相邻；以及

所述第二导电区域之上的第二导电过孔，其中，所述第二导电过孔与所述第二鳍状物区域平行相邻。