[发明专利]半导体装置及半导体封装体

权利要求书

1.一种半导体装置，包含：

半导体层，其具有第1面；

绝缘层，其形成在所述半导体层的所述第1面上；

Cu导电层，其形成在所述绝缘层上，由以Cu为主成分的金属构成；

第2绝缘层，其形成在所述绝缘层上，且被覆所述Cu导电层；

Cu柱状体，其在上述第2绝缘层沿着厚度方向延伸且由以Cu为主成分的金属构成，并与上述Cu导电层电连接；

中间层，其形成在所述Cu导电层与所述Cu柱状体之间，由具有比上述Cu导电层和上述Cu柱状体的线膨胀系数小的线膨胀系数的材料构成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述Cu导电层和所述Cu柱状体的线膨胀系数为16.0～18.0(10^-6/℃)，所述中间层的线膨胀系数为10.0～15.0(10^-6/℃)。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述中间层包含从所述Cu导电层起依次层叠的第1中间层和第2中间层的层叠结构，

所述第1中间层具有比所述第2中间层的线膨胀系数大的线膨胀系数，且具有比所述第2中间层大的厚度。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第1中间层包含Ni层，所述第2中间层包含Pd层。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述Cu柱状体具有20μm～60μm的厚度。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述Cu导电层具有2μm～6μm的厚度。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，进一步包含接合层，所述接合层形成在所述Cu柱状体上，用于外部连接，

所述接合层在与所述Cu柱状体相接触的部分具有由含有比所述Cu柱状体的线膨胀系数小的线膨胀系数的材料形成的层。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述接合层为用于倒装片接合用的外部接合层。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述接合层包含：第1层，其形成在所述Cu柱状体上，由以Ni为主成分的金属形成；以及第2层，其形成在所述第1层上，由以焊料为主成分的金属形成。

所述第2层用于外部连接。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述第2层形成为大致球形。

11.根据权利要求1或2所述的半导体装置，包含阻挡层，所述阻挡层形成在所述绝缘层与所述Cu导电层之间，

所述Cu导电层具有第1面、以及位于所述第1面的相反侧且与所述阻挡层相接触的第2面，

所述Cu导电层的所述第2面侧的周边从所述阻挡层的周边退回至所述阻挡层的内部。

12.一种半导体封装体，包含：

导电构件，其具有第1面、以及位于所述第1面的相反侧的第2面；

权利要求1或2所述的半导体装置，其与所述导电构件的所述第1面倒装片接合；以及

密封树脂，其被覆所述导电构件的一部分及所述半导体装置。

13.一种半导体封装体，包含：

导电构件，其具有第1面、以及位于所述第1面的相反侧的第2面；

权利要求1或2所述的半导体装置，其搭载于所述导电构件的所述第1面，且所述Cu柱状体与所述导电构件的所述第1面连接；以及

密封树脂，其被覆所述导电构件的一部分及所述半导体装置。