[发明专利]半导体装置及半导体封装体

说明书

半导体装置包含：半导体层，其具有第1面；绝缘层，其形成在上述半导体层的上述第1面上；Cu导电层，其形成在上述绝缘层上，由以Cu为主成分的金属构成；第2绝缘层，其形成在上述绝缘层上，且被覆上述Cu导电层；Cu柱状体，其使上述第2绝缘层沿着厚度方向延伸且由以Cu为主成分的金属构成，并与上述Cu导电层电连接；以及中间层，其形成在上述Cu导电层与上述Cu柱状体之间，由具有比上述Cu导电层和上述Cu柱状体的线膨胀系数小的线膨胀系数的材料构成。

本申请对应于2019年3月29日向日本专利局提出的日本特愿2019-068474号，该申请的全部公开内容通过引用方式整合到本申请中。

技术领域

本发明涉及半导体装置及具备该半导体装置的半导体封装体。

背景技术

专利文献1(日本特开2010-171386号公报)公开了一种半导体装置，具备：半导体基板；形成在半导体基板上的Cu布线；被覆Cu布线的表面及侧面的镀层；和介由镀层引线接合在Cu布线上的Cu线。镀层具有Ni/Pd/Au的层叠结构。

该半导体装置的制造工序包含例如下述工序：在被覆半导体基板的绝缘膜上，隔着阻挡金属膜形成Cu布线。阻挡金属膜包含分别用溅射法形成的Ti/Cu种子层。将阻挡金属膜上的抗蚀膜作为掩模，在阻挡金属膜上通过电镀法形成Cu布线。在镀敷Cu布线之后除去抗蚀膜，将由此而露出的Ti/Cu种子层通过湿式蚀刻而除去。例如，首先用双氧水与硝酸的混合液除去Cu种子层，然后用双氧水与氨的混合液除去Ti膜。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种可以缓和在使用Cu导电层上的Cu柱状体进行安装时产生的应力的半导体装置、以及具备该半导体装置的半导体封装体。

本发明的一方面涉及的半导体装置包含：半导体层，其具有第1面；绝缘层，其形成在上述半导体层的上述第1面上；Cu导电层，其形成在上述绝缘层上，由以Cu为主成分的金属构成；第2绝缘层，其形成在上述绝缘层上且被覆上述Cu导电层；Cu柱状体，其在上述第2绝缘层沿着厚度方向延伸且由以Cu为主成分的金属构成，并与上述Cu导电层电连接；以及中间层，其形成在上述Cu导电层与上述Cu柱状体之间，由具有比上述Cu导电层和上述Cu柱状体的线膨胀系数小的线膨胀系数的材料构成。

本发明的一方面涉及的半导体封装体包含：导电构件，其具有第1面、以及位于上述第1面的相反侧的第2面；上述半导体装置，其倒装片接合于上述导电构件的上述第1面；和密封树脂，其被覆上述导电构件的一部分以及上述半导体装置。

发明效果

根据本发明的一方面涉及的半导体装置及半导体封装体，在Cu导电层与Cu柱状体之间形成有中间层，所述中间层是由具有线膨胀系数小于Cu导电层及Cu柱状体的线膨胀系数的材料形成的。由此可以缓和在使用Cu柱状体封装半导体装置时产生的应力。特别地，由于将半导体装置倒装片安装于导电构件时容易承受应力，因此对倒装片安装的封装体特别有效。因此，可以提供可靠性优异的半导体封装体。

附图说明

图1为本发明的第1实施方式的半导体封装体的立体图。

图2为图1所示的半导体封装体的俯视图(透射密封树脂)。

图3为图1所示的半导体封装体的俯视图(透射半导体元件及密封树脂)。

图4为图1所示的半导体封装体的仰视图。

图5为图1所示的半导体封装体的正面图。

图6为图1所示的半导体封装体的背面图。

图7为图1所示的半导体封装体的右侧面图。

图8为图1所示的半导体封装体的左侧面图。

图9为图3的部分放大图。