[发明专利]半导体器件的制作方法和半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供具有绝缘介质层的基底；

在所述绝缘介质层的表面上形成金属连线层；

至少刻蚀去除部分所述金属连线层，至少在所述金属连线层中形成多个填充槽，所述填充槽的两侧具有金属连线部；

在所述填充槽的至少部分中填充介质，形成介质部。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，至少刻蚀去除部分所述金属连线层，至少在所述金属连线层中形成多个填充槽，包括：

依次去除部分所述绝缘介质层和所述金属连线层，在所述绝缘介质层和所述金属连线层中形成多个所述填充槽。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，

在形成多个间隔的金属连线部之后，在形成介质部之前，所述制作方法还包括：

至少在所述填充槽的内壁上形成阻挡层，

在所述填充槽的至少部分中填充介质，形成介质部，包括：

在所述填充槽的剩余部分中填充介质，形成所述介质部。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述填充槽的至少部分中填充介质，形成介质部，包括：

至少在所述填充槽的上方形成封顶层，所述封顶层和所述填充槽的内壁形成封闭空间，所述封闭空间中具有空气。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，至少在所述填充槽的剩余部分中形成封顶层，包括：

在所述填充槽的剩余部分中以及所述填充槽两侧的所述金属连线部上形成所述封顶层。

6.根据权利要求4或5中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述封顶层的材料包括硅氧化合物和/或硅氮化合物。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金属连线层的材料包括铜、钨、钴、钌、钼、锇和铱中的至少一种。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括：

具有绝缘介质层的基底；

多个金属连线部，所述金属连线部位于所述绝缘介质层上，至少两个所述金属连线部之间具有间隔，至少部分所述间隔形成填充槽，所述金属连线部为通过刻蚀金属连线层形成的；

介质部，位于所述填充槽的至少部分中。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘介质层中具有多个凹槽，所述金属连线部位于凹槽两侧的所述绝缘介质层上，所述间隔位于所述凹槽上方且所述间隔的至少部分和所述凹槽的至少部分形成所述填充槽。

10.根据权利要求8或9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

阻挡层，至少位于所述金属连线部的侧壁和所述介质部之间。

11.根据权利要求8或9所述的半导体器件，其特征在于，所述介质部包括：

空气，位于所述填充槽内；

封顶层，与所述填充槽内壁形成封闭空间，所述空气位于所述封闭空间内。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述封顶层的材料包括硅氧化合物和/或硅氮化合物。