[发明专利]红外探测器芯片的接触电极制备方法在审
申请号: | 202010235091.2 | 申请日: | 2020-03-30 |
公开(公告)号: | CN111403502A | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 刘世光;张轶;谭振;周立庆 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/09;H01L31/101;H01L31/18 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 张然 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外探测器 芯片 接触 电极 制备 方法 | ||
1.一种红外探测器芯片的接触电极制备方法,其特征在于,包括:
在钝化层表面涂覆光刻胶,并进行光刻及显影,形成适于制备接触孔的光刻胶图形;
腐蚀所述钝化层;
对所述钝化层远离所述碲镉汞的一侧进行金属电极蒸镀;
去除所述光刻胶以及附着于所述光刻胶上的金属层。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述钝化层为硫化锌层。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述光刻胶为正性光刻胶或负性光刻胶。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述光刻胶图形的厚度大于等于1微米且小于等于4微米。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述腐蚀所述钝化层,包括:
将所述芯片浸泡于盛放有腐蚀液的烧杯中;
将所述烧杯放置于超声水槽中。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述腐蚀液为浓盐酸、浓盐酸和水的混合液、或浓盐酸和浓硝酸的混合液。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,当所述腐蚀液为浓盐酸和水的混合液,所述浓盐酸与所述水的体积比大于等于0.1且小于等于10;
当所述腐蚀液为浓盐酸和浓硝酸的混合液,所述浓盐酸与所述浓硝酸的体积比大于等于0.1且小于等于10。
8.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述超声水槽的超声频率大于等于20KHz且小于等于200KHz。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对所述钝化层远离所述碲镉汞的一侧进行金属电极蒸镀,包括:
采用热蒸发技术在所述钝化层远离所述碲镉汞的一侧依次蒸镀铬层、金层,所述铬层的厚度大于等于且小于等于所述金层的厚度大于等于且小于等于
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除所述光刻胶以及附着于所述光刻胶上的金属层,包括:
采用有机溶剂溶解所述光刻胶。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的