[发明专利]红外探测器芯片的接触电极制备方法

权利要求书

1.一种红外探测器芯片的接触电极制备方法，其特征在于，包括：

在钝化层表面涂覆光刻胶，并进行光刻及显影，形成适于制备接触孔的光刻胶图形；

腐蚀所述钝化层；

对所述钝化层远离所述碲镉汞的一侧进行金属电极蒸镀；

去除所述光刻胶以及附着于所述光刻胶上的金属层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化层为硫化锌层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶为正性光刻胶或负性光刻胶。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶图形的厚度大于等于1微米且小于等于4微米。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述腐蚀所述钝化层，包括：

将所述芯片浸泡于盛放有腐蚀液的烧杯中；

将所述烧杯放置于超声水槽中。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述腐蚀液为浓盐酸、浓盐酸和水的混合液、或浓盐酸和浓硝酸的混合液。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，当所述腐蚀液为浓盐酸和水的混合液，所述浓盐酸与所述水的体积比大于等于0.1且小于等于10；

当所述腐蚀液为浓盐酸和浓硝酸的混合液，所述浓盐酸与所述浓硝酸的体积比大于等于0.1且小于等于10。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述超声水槽的超声频率大于等于20KHz且小于等于200KHz。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述钝化层远离所述碲镉汞的一侧进行金属电极蒸镀，包括：

采用热蒸发技术在所述钝化层远离所述碲镉汞的一侧依次蒸镀铬层、金层，所述铬层的厚度大于等于且小于等于所述金层的厚度大于等于且小于等于

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述光刻胶以及附着于所述光刻胶上的金属层，包括：

采用有机溶剂溶解所述光刻胶。