[发明专利]红外探测器芯片的接触电极制备方法

说明书

本发明公开了一种红外探测器芯片的接触电极制备方法，所述方法，包括：在钝化层表面涂覆光刻胶，并进行光刻及显影，形成适于制备接触孔的光刻胶图形；腐蚀钝化层；对钝化层远离碲镉汞的一侧进行金属电极蒸镀；去除光刻胶以及附着于光刻胶上的金属层。采用本发明，结合了钝化层腐蚀工艺和电极剥离工艺，避免了工艺过程中对碲镉汞和钝化层的损伤，并减少了光刻次数，减少了工艺步骤，而且巧妙利用了钝化层腐蚀的侧向腐蚀、大大降低了剥离的工艺难度，提升了成品率。

技术领域

本发明涉及红外探测器技术领域，尤其涉及一种红外探测器芯片的接触电极制备方法。

背景技术

碲镉汞红外探测器由于其波长可调，量子效率高，器件性能好，成为高性能制冷型红外探测器的重要材料。经过几十年的发展，红外探测器已经发展到了第三代，在向着大面阵、长波长、双多色器件、高温工作器件等方向进一步拓展这红外器件的性能和探测能力。红外探测器的电极引出是探测器制备中的关键步骤，电极制备工艺主要分为两步：钝化层开孔和电极引出。

相关技术中，钝化层开孔可通过钝化孔光刻和钝化孔湿法腐蚀/干法刻蚀两步实现；电极引出可通过电极剥离或电极湿法腐蚀/干法刻蚀工艺实现。其中钝化层开孔工艺中的湿法腐蚀对碲镉汞材料没有损伤，但会因其腐蚀的各项同性易造成侧向腐蚀；干法刻蚀制备钝化孔，基本不存在侧向腐蚀，但是由于等离子轰击作用会对碲镉汞材料造成一定的损伤。电极制备的电极剥离工艺不会对钝化层造成损伤，但是由于碲镉汞探测器所用的电极体系胶厚，且随着红外探测器发展，电极间的距离逐渐减小，剥离难度大，极易出现金属层粘连无法剥离或需要剩余的接触金属被一起剥离掉的情况，成品率较低。电极制备的电极刻蚀/腐蚀工艺，由于等离子体会轰击到钝化层/腐蚀液接触钝化层，会对钝化层造成一定的影响，影响钝化质量，使得探测器的性能下降。

发明内容

本发明实施例提供一种红外探测器芯片的接触电极制备方法，用以解决现有技术中电极制备工艺流程复杂、损坏芯片的问题。

本发明实施例提出一种红外探测器芯片的接触电极制备方法，包括：

在钝化层表面涂覆光刻胶，并进行光刻及显影，形成适于制备接触孔的光刻胶图形；

腐蚀所述钝化层；

对所述钝化层远离所述碲镉汞的一侧进行金属电极蒸镀；

去除所述光刻胶以及附着于所述光刻胶上的金属层。

根据本发明的一些实施例，所述钝化层为硫化锌层。

根据本发明的一些实施例，所述光刻胶为正性光刻胶或负性光刻胶。

根据本发明的一些实施例，所述光刻胶图形的厚度大于等于1微米且小于等于4微米。

根据本发明的一些实施例，所述腐蚀所述钝化层，包括：

将所述芯片浸泡于盛放有腐蚀液的烧杯中；

将所述烧杯放置于超声水槽中。

在本发明的一些实施例中，所述腐蚀液为浓盐酸、浓盐酸和水的混合液、或浓盐酸和浓硝酸的混合液。

进一步的，当所述腐蚀液为浓盐酸和水的混合液，所述浓盐酸与所述水的体积比大于等于0.1且小于等于10；

当所述腐蚀液为浓盐酸和浓硝酸的混合液，所述浓盐酸与所述浓硝酸的体积比大于等于0.1且小于等于10。

在本发明的一些实施例中，所述超声水槽的超声频率大于等于20KHz且小于等于200KHz。

根据本发明的一些实施例，所述对所述钝化层远离所述碲镉汞的一侧进行金属电极蒸镀，包括：

采用热蒸发技术在所述钝化层远离所述碲镉汞的一侧依次蒸镀铬层、金层，所述铬层的厚度大于等于且小于等于所述金层的厚度大于等于且小于等于