[发明专利]一种低复杂度的近阈值异或单元

权利要求书

1.一种低复杂度的近阈值异或单元，其特征在于，包括：同或逻辑电路和输出反相器电路。

2.根据权利要求1所述的低复杂度的近阈值异或单元，其特征在于，所述同或逻辑电路包括第一PMOS(MP1)、第二PMOS(MP2)、第三PMOS(MP3)、第一NMOS(MN1)和第二NMOS(MN2)；

所述第一PMOS(MP1)的源极接电源电压(VDD)，栅极接第一信号输入端(A)，漏极接第三PMOS(MP3)的源极；

所述第二PMOS(MP2)的源极接电源电压(VDD)，栅极接信号输出端(XOR)，漏极分别接所述第三PMOS(MP3)的漏极、第一NMOS(MN1)的源极和第二NMOS(MN2)的漏极；

所述第三PMOS(MP3)的源极接第一PMOS(MP1)的漏极，栅极接第二信号输入端(B)，漏极分别接所述第二PMOS(MP2)的漏极、第一NMOS(MN1)的源极和第二NMOS(MN2)的漏极；

所述第一NMOS(MN1)的源极分别接所述第二PMOS(MP2)的漏极、第三PMOS(MP3)的漏极和第二NMOS(MN2)的漏极，栅极接第二信号输入端(B)，漏极接第一信号输入端(A)；

所述第二NMOS(MN2)的源极接第二信号输入端(B)，栅极接第一信号输入端(A)，漏极分别接所述第二PMOS(MP2)的漏极、第三PMOS(MP3)的漏极和第一NMOS(MN1)的源极。

3.根据权利要求2所述的低复杂度的近阈值异或单元，其特征在于，所述输出反相器电路包括第四PMOS(MP4)和第三NMOS(MN3)；

所述第四PMOS(MP4)的源极接电源电压(VDD)，漏极接第三NMOS(MN3)的漏极；栅极分别接所述第二PMOS(MP2)的漏极、第三PMOS(MP3)的漏极、第一NMOS(MN1)的源极、第二NMOS(MN2)的漏极和第三NMOS(MN3)的栅极；

所述第三NMOS(MN3)的源极接地，漏极接第四PMOS(MP4)的漏极，栅极分别接所述第二PMOS(MP2)的漏极、第三PMOS(MP3)的漏极、第一NMOS(MN1)的源极、第二NMOS(MN2)的漏极和第四PMOS(MP4)的栅极。