[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 202010235266.X | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113471244B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 吴家荣;张翊凡;黄瑞民;蔡雅卉;王裕平 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/10;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：
提供基底，该基底包含磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random accessmemory,MRAM)区域以及逻辑区域；
形成磁隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)于该随机存取存储器区域上以及上电极于该磁隧道结上；以及
形成金属内连线于该上电极正上方；形成停止层于该金属内连线正上方；
形成阻挡层于该停止层上，该阻挡层包括金属且通过该停止层与该金属内连线电性隔离；以及
在形成该阻挡层后执行高压退火制作工艺。
2.如权利要求1所述的方法，另包含：
形成第一介电层于该阻挡层上；以及
形成第二介电层于该第一介电层上。
3.如权利要求1所述的方法，其中该阻挡层包含铝。
4.如权利要求2所述的方法，其中该第一介电层包含氧化硅。
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