[发明专利]一种存储器感应电压测试电路及测试方法有效

专利信息
申请号: 202010235552.6 申请日: 2020-03-27
公开(公告)号: CN111354414B 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 王颀;王中波;刘飞;杜智超;霍宗亮 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G11C29/50 分类号: G11C29/50
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李婷婷
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 存储器 感应 电压 测试 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种存储器感应电压测试电路,其特征在于,与所述存储器内的页缓冲器相连,所述测试电路包括:

电压传输模块,所述电压传输模块与所述存储器的页缓冲器的第一输入端相连;

所述电压传输模块包括第一输入端、第二输入端、电源端、输出端和控制端,该输出端连接所述页缓冲器中的锁存器;

所述电源端接收电源电压输入;

所述电压传输模块在所述控制端的控制下,选择将所述电压传输模块的第一输入端电压或者将所述电压传输模块的第二输入端电压输出至所述页缓冲器的第一输入端;

当选择将所述电压传输模块的第一输入端电压传输至所述页缓冲器的第一输入端时,所述电压传输模块的第一输入端电压用于测试所述页缓冲器的翻转电压;

所述电压传输模块为二选一选择器;所述二选一选择器包括:

第一反相器、第二反相器、第一传输门、第二传输门、第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管;

所述第一反相器的输入端作为所述电压传输模块的控制端;

所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端相连,并与所述第一传输门的P型晶体管的控制端以及所述第二传输门的P型晶体管的控制端相连;

所述第一传输门的第一端作为所述电压传输模块的第一输入端;

所述第一传输门的第二端与所述第一晶体管的第二端、所述第二传输门的第一端以及所述第二晶体管的第一端相连;

所述第二反相器的输出端与所述第一传输门的N型晶体管的控制端、所述第一晶体管的控制端、所述第二传输门的N型晶体管的控制端相连;

所述第二晶体管的控制端与所述第三晶体管的控制端相连,作为所述电压传输模块的第二输入端;

所述第二传输门的第二端与所述第三晶体管的第一端以及所述第二晶体管的第二端相连,作为所述电压传输模块的输出端与所述页缓冲器的第一输入端相连;

所述第三晶体管的第二端接地。

2.根据权利要求1所述的存储器感应电压测试电路,其特征在于,所述第一晶体管和所述第二晶体管为PMOS管;所述第三晶体管为NMOS管。

3.根据权利要求1所述的存储器感应电压测试电路,其特征在于,所述二选一选择器包括:

第三反相器、第三传输门、第四传输门、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管;

所述第三反相器的输入端作为所述电压传输模块的控制端,并与所述第三传输门的N型晶体管的控制端、所述第四晶体管的控制端、所述第四传输门的N型晶体管的控制端相连;

所述第三反相器的输出端与所述第三传输门的P型晶体管的控制端以及所述第二传输门的P型晶体管的控制端相连;

所述第三传输门的第一端作为所述电压传输模块的第一输入端;

所述第三传输门的第二端与所述第四晶体管的第二端、所述第四传输门的第一端以及所述第五晶体管的第一端相连;

所述第五晶体管的控制端与所述第六晶体管的控制端相连,作为所述电压传输模块的第二输入端;

所述第四传输门的第二端与所述第六晶体管的第一端以及所述第五晶体管的第二端相连,作为所述电压传输模块的输出端与所述页缓冲器的第一输入端相连;

所述第六晶体管的第二端接地。

4.根据权利要求3所述的存储器感应电压测试电路,其特征在于,所述第四晶体管和所述第五晶体管为PMOS管;所述第六晶体管为NMOS管。

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