[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法有效
| 申请号： | 202010235869.X | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111430565B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 李远航 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;G06F3/041;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 徐世俊 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种显示装置，其特征在于：所述显示装置包括：
一衬底基板；
一阵列基板，设置于所述衬底基板上；
一发光器件层，设置于所述阵列基板上；
一薄膜封装层，设置于所述发光器件层上；
一触控层，设置于所述薄膜封装层上；
一偏光片层，设置于所述触控层上；以及
一盖板层，设置于所述偏光片层上；
其中所述触控层包括：
至少一无机绝缘层，
至少一金属层，设置于所述无机绝缘层上，并且形成一触控电极的图案；以及
一钝化层，覆盖所述无机绝缘层以及所述金属层，并且包括一有机光阻，所述有机光阻掺杂有氨吸收粒子；
所述氨吸收粒子为一氨分子筛，所述氨分子筛的粒径小于100纳米，而孔径大于0.38纳米；
所述氨分子筛的空间网络结构由硅氧四面体单元和铝氧四面体单元交错排列而形成，所述硅氧四面体单元的化学式为SiO4，所述铝氧四面体单元的化学式为AlO4，所述氨分子筛的化学式为Na2O·Al2O3·2SiO2·9/2H2O，SiO2/Al2O3的硅铝比为2。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：所述氨吸收粒子包括与氨发生化学反应的分子。
3.一种显示装置的制作方法，其特征在于：所述方法包括：
步骤10：提供一衬底基板；
步骤20：在所述衬底基板上依序形成一阵列基板、一发光器件层以及一薄膜封装层；
步骤30：通过一光刻工艺，使用一有机光阻，所述光阻掺杂有氨吸收粒子，以在所述薄膜封装层上形成一触控层；
步骤40：在所述触控层上，依序形成一偏光片层以及一盖板层；
所述触控层包括：
至少一无机绝缘层，
至少一金属层，设置于所述无机绝缘层上，并且形成一触控电极的图案；以及
一钝化层，覆盖所述无机绝缘层以及所述金属层，并且包括所述有机光阻，所述有机光阻掺杂有所述氨吸收粒子；
所述氨吸收粒子为一氨分子筛，所述氨分子筛的粒径小于100纳米，而孔径大于0.38纳米；
所述氨分子筛的空间网络结构由硅氧四面体单元和铝氧四面体单元交错排列而形成，所述硅氧四面体单元的化学式为SiO4，所述铝氧四面体单元的化学式为AlO4，所述氨分子筛的化学式为Na2O·Al2O3·2SiO2·9/2H2O，SiO2/Al2O3的硅铝比为2。
4.如权利要求3所述的显示装置的制作方法，其特征在于：所述氨吸收粒子包括与氨发生化学反应的分子。
5.如权利要求3所述的显示装置的制作方法，其特征在于：
所述钝化层的光刻工艺线宽精度小于5微米，膜厚为2微米，透过率大于92％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
