[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法

说明书

提供一种显示装置与一种显示装置的制造方法。所述显示装置包括一触控层。所述触控层包括至少一无机绝缘层、至少一金属层以及一钝化层。所述金属层设置于所述无机绝缘层上，并且形成一触控电极的图案。所述钝化层覆盖所述无机绝缘层以及所述金属层，并且包括一有机光阻，所述有机光阻掺杂有氨吸收粒子。

技术领域

本发明涉及显示器技术领域，特别是涉及一种显示装置和显示装置的制造方法。

背景技术

有机发光二极体内嵌式触控的显示面板(organic on-cell touch displaypanel，OLED on-cell touch display panel)，又称DOT技术(direct on cell touch，DOT)。集成OLED及触控结构，相较外挂式触控面板具有更好的透过率、耐弯折性、及轻薄等特点，将成为柔性OLED显示未来趋势。此技术为在OLED面板的层薄膜封装(thin filmencapsulation，TFE)上直接利用低温工艺(T≤90℃)制作触控结构，从而实现OLED和触控结构的集成。图1显示使用DOT技术的OLED面板的结构示意图。一般的OLED面板结构，从下到上分别为一柔性衬底基板10(如polyimide，PI基板)、一阵列基板11、一发光器件层12以及一薄膜封装层13。使用DOT技术的触控层，从下到上为一第一无机绝缘层14、一第一金属层15、一第二无机绝缘层14、一第二金属层15、一钝化层16。面板的外贴膜层，包括一偏光片层18和一盖板层19，通过光学透明胶(optical clear adhesive，OCA)胶实现贴合。其中所述第一无机绝缘层14和所述第二无机绝缘层14的材料为硅氮化和物(SiNx)，所述第一金属层15和所述第二金属层15形成金属触控电极的图案，材质可以为钛-铝-钛复合材料(Ti-Al-Ti)、钼(Mo)或者其他低阻抗金属。

在实际的DOT面板中，在高温条件下的可靠度测试后，所述偏光片层18出现变色情况，如图2所示，导致产品失效。所述偏光片层变色与氢(NH₃)相关。在DOT面板生产过程中，无机绝缘层材质为硅氮化和物(SiNx)及硅氧化和物(SiOx)，采用等离子体增强化学的气相沉积法(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)进行镀膜，其反应化学式为SiH₄(g)+NH₃(g)+N₂(g)→SiNx(s)+H₂(g)以及SiH₄(g)+N₂O(g)→SiOx(s)+H2(g)+N2(g)。可见在SiNx镀膜中会采用氢(NH₃)。在镀膜过程中形成的NH₄⁺会残留在膜层内，特别是DOT触控层结构中所述第一无机绝缘层14和第二无机绝缘层14。SiNx的低温镀膜过程所形成的NH4+残留在膜层内。在高温可靠性测试或者长时间显示使用后，这些铵离子会以氨气的形式从膜层析出与所述偏光片层18发生反应，导致偏光片变色，影响显示装置的显示效果。

发明内容

本发明的目的在于提供一种显示装置与显示装置的制造方法，其降低一偏光片层出现变色，导致产品失效的风险。

为解决上述技术问题，本发明提供一种用于一显示装置的一触控层，包括：至少一无机绝缘层；至少一金属层，设置于所述无机绝缘层上，并且形成一触控电极的图案；以及一钝化层，覆盖所述无机绝缘层以及所述金属层，并且包括一有机光阻，所述有机光阻掺杂有氨吸收粒子。

根据本发明的一实施例，所述氨吸收粒子为一氨分子筛，所述氨分子筛的孔径小于100纳米，大于0.38纳米。

根据本发明的一实施例的进一步特征，所述氨分子筛为一4A分子筛。