[发明专利]一种基于薄膜IPD技术的宽频带吸收式带阻滤波器芯片

权利要求书

1.一种基于薄膜集成无源器件IPD技术的宽频带吸收式带阻滤波器芯片，其特征在于，包括：

吸收式带阻滤波器电路，以及用于承载所述吸收式带阻滤波器电路的基底层，其中，

所述基底层为单层的介质板；

所述吸收式带阻滤波器电路是采用薄膜集成无源器件IPD技术在所述介质板上生成的；所述吸收式带阻滤波器电路包括：输入端口，输出端口、连接于所述输入端口与输出端口之间的基础带阻主路、以及连接于所述基础带阻主路上的宽频带吸收支路；

所述输入端口，用于接收输入的信号；

所述基础带阻主路，用于对所述信号在带阻的频率范围内进行阻断；

所述宽频带吸收支路，用于吸收所述信号并且拓展所述信号的带阻的频率范围；

所述输出端口，用于输出经所述宽频带吸收支路及所述基础带阻主路处理所述信号以后，除所述带阻的频率范围以外的信号；

在所述宽频带吸收支路为一个宽频带吸收支路的情况下，所述宽频带吸收支路包括：用于吸收所述信号的薄膜电阻，第二直接螺旋电感及第四金属绝缘体金属MIM电容；其中，

所述薄膜电阻，所述第二直接螺旋电感与所述第四金属绝缘体金属 MIM电容串联，所述薄膜电阻的一端连接于所述输入端口，所述薄膜电阻的另一端连接于所述第二直接螺旋电感的一端，所述第二直接螺旋电感的另一端连接于所述第四金属绝缘体金属MIM电容的一端，所述第四金属绝缘体金属MIM电容的另一端连接于节点。

2.如权利要求1所述的基于薄膜集成无源器件IPD技术的宽频带吸收式带阻滤波器芯片，其特征在于，在所述宽频带吸收支路为一个宽频带吸收支路的情况下，所述宽频带吸收支路连接于所述输入端口与所述基础带阻主路之间；

在所述宽频带吸收支路为两个以上宽频带吸收支路的情况下，所述两个以上宽频带吸收支路中的一个宽频带吸收支路连接于所述输入端口与所述基础带阻主路之间，所述两个以上宽频带吸收支路中的另一个宽频带吸收支路连接于所述基础带阻主路与所述输出端口之间，所述两个以上宽频带吸收支路中的其余宽频带吸收支路连接于所述基础带阻主路上。

3.如权利要求1所述的基于薄膜集成无源器件IPD技术的宽频带吸收式带阻滤波器芯片，其特征在于，所述薄膜电阻是由镍铬合金构成的。

4.如权利要求1所述的基于薄膜集成无源器件IPD技术的宽频带吸收式带阻滤波器芯片，其特征在于，所述吸收式带阻滤波器电路还包括：连接于所述基础带阻主路上的宽频带反射支路，用于拓展所述信号的带阻的频率范围，并且位于所述宽频带吸收支路靠近所述输出端口的位置；

所述输出端口，还用于输出经所述宽频带吸收支路，所述基础带阻主路及所述宽频带反射支路处理所述信号以后，除所述带阻的频率范围以外的信号。

5.如权利要求1所述的基于薄膜集成无源器件IPD技术的宽频带吸收式带阻滤波器芯片，其特征在于，在所述宽频带反射支路为一个宽频带反射支路的情况下，所述宽频带反射支路连接于所述输出端口与所述基础带阻主路之间；

在所述宽频带反射支路为两个以上宽频带反射支路的情况下，所述两个以上宽频带反射支路中的一个宽频带反射支路连接于所述输出端口与所述基础带阻主路之间；

所述两个以上宽频带反射支路中的其余宽频带反射支路连接于所述基础带阻主路上。

6.如权利要求5所述的基于薄膜集成无源器件IPD技术的宽频带吸收式带阻滤波器芯片，其特征在于，在所述宽频带反射支路为一个宽频带反射支路的情况下，所述宽频带反射支路包括：第五MIM电容及第三直接螺旋电感；其中，

所述第五MIM电容与所述第三直接螺旋电感串联，所述第五MIM电容的一端连接于节点，所述第五MIM电容的另一端连接所述第三直接螺旋电感的一端，所述第三直接螺旋电感的另一端连接于所述输出端口。