[发明专利]一种基于薄膜IPD技术的宽频带吸收式带阻滤波器芯片

说明书

本发明实施例提供了一种基于薄膜IPD技术的宽频带吸收式带阻滤波器芯片，其中包括：为单层的介质板的基底层及采用薄膜集成无源器件IPD技术在介质板上生成的吸收式带阻滤波器电路；吸收式带阻滤波器电路包括：输入端口，输出端口、连接于输入端口与输出端口之间的基础带阻主路、以及连接于基础带阻主路上的宽频带吸收支路；输入端口，用于接收输入的信号；基础带阻主路，用于对信号在带阻的频率范围内进行阻断；宽频带吸收支路，用于吸收信号并且拓展信号的带阻的频率范围；输出端口，用于输出经宽频带吸收支路及基础带阻主路处理信号以后，除带阻的频率范围以外的信号。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种基于薄膜IPD技术的宽频带吸收式带阻滤波器芯片。

背景技术

随着无线通信技术的迅速发展，频谱资源日益复杂，带阻滤波器逐渐向着宽频带、低插损、超小型化等趋势发展。带阻滤波器中的吸收式带阻滤波器，可以直接将输入的信号中的某些干扰信号频率分量，通过电阻吸收以达到干扰信号抑制功能。

在近年来，大量吸收式带阻滤波器的研制在现有技术中多种实现方式，在一种实现方式中可以采用低温共烧陶瓷(Low Temperature Cofired Ceramic，简称LTCC)技术实现。通常现有技术利用LTCC技术来实现集总元件比如电容、电感构成的吸收式带阻滤波器电路。具体吸收式带阻滤波器电路参见图1所示，图1为现有技术的吸收式带阻滤波器的电路原理图。吸收式带阻滤波器的电路是由输入端90、输出端20、第一个电容60、第一个电感70，第一个电阻80、第二个电阻30、第二个电容50，第二个电感40组成；其中第一个电感70，第一个电阻80与第二个电阻30串联，并与输入端90，第二个电阻30、第二个电容50，第二个电感40并联，并与输出端20连接，实现带阻。此带阻滤波器的通带上限频率与通带下限频率的比近似为2或者更小，也称为窄带。

由于LTCC技术等半导体技术实现的小型化吸收式带阻滤波器针对的是窄带带阻特性，并且使用的多层基板构造的带阻滤波器器件，此带阻滤波器器件厚度大，尺寸大且成本器件厚度的增加而增加。综上所述，现有技术的吸收式带阻滤波器具有窄带带阻特性，并且器件厚度大，尺寸大且成本随器件厚度的增加而增加。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种基于薄膜IPD技术的宽频带吸收式带阻滤波器芯片，用以解决现有技术中吸收式带阻滤波器具有窄带带阻特性，并且器件厚度大，尺寸大且成本随器件厚度的增加而增加的技术问题。具体技术方案如下：

本发明实施例提供了一种基于薄膜集成无源器件IPD技术的宽频带吸收式带阻滤波器芯片，包括：

吸收式带阻滤波器电路，以及用于承载所述吸收式带阻滤波器电路的基底层，其中，

所述基底层为单层的介质板；

所述吸收式带阻滤波器电路是采用薄膜集成无源器件IPD技术在所述介质板上生成的；所述吸收式带阻滤波器电路包括：输入端口，输出端口、连接于所述输入端口与输出端口之间的基础带阻主路、以及连接于所述基础带阻主路上的宽频带吸收支路；

所述输入端口，用于接收输入的信号；

所述基础带阻主路，用于对所述信号在带阻的频率范围内进行阻断；

所述宽频带吸收支路，用于吸收所述信号并且拓展所述信号的带阻的频率范围；

所述输出端口，用于输出经所述宽频带吸收支路及所述基础带阻主路处理所述信号以后，除所述带阻的频率范围以外的信号。

进一步的，在所述宽频带吸收支路为一个宽频带吸收支路的情况下，所述宽频带吸收支路连接于所述输入端口与所述基础带阻主路之间；