[发明专利]图像传感器及其形成方法、屏下指纹识别装置、电子设备在审
申请号: | 202010236926.6 | 申请日: | 2020-03-30 |
公开(公告)号: | CN111432100A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 毕迪 | 申请(专利权)人: | 上海果纳半导体技术有限公司 |
主分类号: | H04N5/225 | 分类号: | H04N5/225;G06K9/00;H01L27/146 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;董琳 |
地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 形成 方法 指纹识别 装置 电子设备 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:
第一基底,具有相对的第一表面和第二表面,所述第一表面内形成有若干传感单元组成的像素阵列,所述第二表面内形成有若干微透镜组成的微透镜阵列;
第二基底,所述第二基底包括金属互连层;
所述第一基底的第一表面键合于所述第二基底的金属互连层表面;
所述第一基底的第二表面为图形化的微透镜阵列。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述第一基底为半导体衬底;所述微透镜阵列由刻蚀所述半导体衬底而形成。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,每个微透镜对应一个或多个传感单元。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述第一基底的厚度为3μm~10μm。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,还包括:覆盖于所述微透镜阵列表面的吸光层,所述吸光层的厚度为
6.根据权利要求5所述的图像传感器,其特征在于,所述吸光层具有粗糙表面。
7.根据权利要求5所述的图像传感器,其特征在于,所述吸光层的材料包括氧化硅、氮氧化硅或者氮化硅中的至少一种。
8.一种图像传感器的形成方法,其特征在于,包括:
提供第一基底,所述第一基底包括相对的第一表面和第二表面,所述第一表面内形成有若干传感单元组成的像素阵列;
提供第二基底,所述第二基底包括金属互连层;
将所述第一基底的第一表面键合于所述第二基底的金属互连层表面;
在所述第一基底的第二表面形成微透镜阵列。
9.根据权利要求8所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述第一基底为半导体衬底;对所述第一基底的第二表面进行刻蚀,形成所述微透镜阵列,所述微透镜阵列包括若干阵列排布的微透镜。
10.根据权利要求8所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,还包括:在形成所述微透镜阵列之前,对所述第一基底的第二表面进行减薄处理,使得减薄后的第一基底厚度为3μm~10μm。
11.根据权利要求8所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,还包括:在所述微透镜阵列表面形成吸光层,所述吸光层的厚度为
12.根据权利要求11所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述吸光层的材料包括氧化硅、氮氧化硅或者氮化硅中的至少一种。
13.根据权利要求11所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,还包括:对所述吸光层表面进行粗糙化处理。
14.一种屏下指纹识别装置,其特征在于,包括:如权利要求1至7中任一项所述的图像传感器。
15.一种电子设备,其特征在于,包括:
屏幕,具有一指纹识别区域;
如权利要求14所述的屏下指纹识别装置,设置于所述屏幕的指纹识识别区域下方。
16.根据权利要求15所述的电子设备,其特征在于,还包括:指纹识别光源,用于发出指纹检测光,所述指纹检测光至少包括红外光。
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