[发明专利]封装件及其形成方法在审
申请号: | 202010237003.2 | 申请日: | 2020-03-30 |
公开(公告)号: | CN112309874A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 吴俊毅;余振华;刘重希 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/16;H01L23/31 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 及其 形成 方法 | ||
1.一种形成封装件的方法,包括:
将第一封装部件放置在载体上方,其中,所述第一封装部件包括器件管芯;
将核心框架放置在所述载体上方,其中,所述核心框架形成环绕所述第一封装部件的环;
将所述核心框架和所述第一封装部件密封在密封剂中;
在所述核心框架和所述第一封装部件上方形成再分布线;以及
在所述第一封装部件上方形成电连接件,所述电连接件通过所述再分布线电耦合到所述第一封装部件。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括在所述密封之后,平坦化所述密封剂,直到露出所述第一封装部件的导电部件。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述核心框架包括核心电介质以及位于所述核心电介质的相对侧上的金属板。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述核心框架没有穿透所述核心电介质的导电管。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述器件管芯包括片上系统(SoC)管芯以及将所述片上系统管芯密封在其中的附加密封剂。
6.根据权利要求1所述的方法,还包括:
执行管芯锯切以形成封装件,其中,所述第一封装部件位于所述封装件中;以及
通过所述电连接件将第二封装部件接合到所述封装件,其中,所述第二封装部件包括:
附加核心电介质;
附加导电管,穿透所述附加核心电介质;以及
附加再分布线,位于所述附加核心电介质的相对侧上,并且通过所述附加导电管互连。
7.根据权利要求1所述的方法,还包括:
执行管芯锯切工艺以形成封装件,其中,所述第一封装部件位于所述封装件中;以及
将金属环附接到所述封装件。
8.根据权利要求1所述的方法,还包括将无源器件接合到所述再分布线,其中,所述无源器件与所述电连接件处于同一层级。
9.一种形成封装件的方法,包括:
将核心框架放置在载体上方,其中,所述核心框架包括:
核心电介质;以及
第一金属板和第二金属板,位于所述核心电介质的相对侧上;
将封装部件放置在所述核心框架的开口中和所述载体上方,其中,所述封装部件包括器件管芯;
将所述核心框架和所述封装部件密封在密封剂中;以及
在所述核心框架和所述封装部件上方形成再分布线,其中,所述再分布线电连接到所述封装部件,并且与所述核心框架电解耦。
10.一种封装件,包括:
封装部件,所述封装部件中包括器件管芯;
核心框架,形成环绕所述封装部件的环;
密封剂,将所述封装部件和所述核心框架密封在其中;
多个介电层,位于所述密封剂上方;以及
再分布线,位于所述多个介电层中,其中,所述再分布线电连接到所述封装部件,并且与所述核心框架电解耦。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造