[发明专利]封装件及其形成方法在审
申请号: | 202010237003.2 | 申请日: | 2020-03-30 |
公开(公告)号: | CN112309874A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 吴俊毅;余振华;刘重希 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/16;H01L23/31 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 及其 形成 方法 | ||
一种方法包括将封装部件放置在载体上方。封装部件包括器件管芯。将核心框架放置在载体上方。核心框架形成环绕第一封装部件的环。该方法还包括将核心框架和封装部件密封在密封剂中,在核心框架和封装部件上方形成再分布线,以及在封装部件上方形成电连接件,电连接件通过再分布线电耦合到封装部件。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。
技术领域
本发明的实施例涉及封装件及其形成方法。
背景技术
高性能计算(HPC)封装件越来越多地用于诸如人工智能(AI)应用的性能要求高的应用。HPC封装件的尺寸也变得越来越大。较大的尺寸导致封装件具有显著的翘曲。
HPC封装件可以包括结合到封装衬底的封装件。为了控制翘曲,增加封装衬底的厚度以改善抗翘曲性。然而,该解决方案导致HPC封装件中的电路径更长,并且导致IR下降的增加,这可能严重降低HPC封装件的性能。
发明内容
本发明的实施例提供了一种形成封装件的方法,包括:将第一封装部件放置在载体上方,其中,所述第一封装部件包括器件管芯;将核心框架放置在所述载体上方,其中,所述核心框架形成环绕所述第一封装部件的环;将所述核心框架和所述第一封装部件密封在密封剂中;在所述核心框架和所述第一封装部件上方形成再分布线;以及在所述第一封装部件上方形成电连接件,所述电连接件通过所述再分布线电耦合到所述第一封装部件。
本发明的另一实施例提供了一种形成封装件的方法,包括:将核心框架放置在载体上方,其中,所述核心框架包括:核心电介质;以及第一金属板和第二金属板,位于所述核心电介质的相对侧上;将封装部件放置在所述核心框架的开口中和所述载体上方,其中,所述封装部件包括器件管芯;将所述核心框架和所述封装部件密封在密封剂中;以及在所述核心框架和所述封装部件上方形成再分布线,其中,所述再分布线电连接到所述封装部件,并且与所述核心框架电解耦。
本发明的又一实施例提供了一种封装件,包括:封装部件,所述封装部件中包括器件管芯;核心框架,形成环绕所述封装部件的环;密封剂,将所述封装部件和所述核心框架密封在其中;多个介电层,位于所述密封剂上方;以及再分布线,位于所述多个介电层中,其中,所述再分布线电连接到所述封装部件,并且与所述核心框架电解耦。
附图说明
当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上,为了清楚的讨论,各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
图1、图2A、图2B、图3A、图3B和图4至图10示出了根据一些实施例的封装件的形成中的中间阶段的截面图和立体图。
图11A和图11B分别示出了根据一些实施例的放置在圆形载体和矩形载体上的封装件和核心框架的顶视图。
图12至图15示出了根据一些实施例的封装件的形成中的中间阶段的截面图。
图16示出了根据一些实施例的用于形成封装件的工艺流程。
具体实施方式
以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征不同的实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实施例或实例以简化本发明。当然这些仅是实例而不旨在限制。例如,在以下描述中,在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例,并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件,从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。如本文使用的,在第二部件上形成第一部件是指形成与第二部件直接接触的第一部件。此外,本发明可以在各个示例中重复参考数字和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的,并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造