[发明专利]灵敏放大器、存储器和数据读出方法

权利要求书

1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：

第一PMOS管，所述第一PMOS管的栅极与第一位线连接；

第二PMOS管，所述第二PMOS管的栅极与第二位线连接，所述第二PMOS管的源极与所述第一PMOS管的源极连接；其中，所述第二位线是与所述第一位线对应的反位线；

第一NMOS管，所述第一NMOS管的栅极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极连接；

第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极与所述第一PMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的源极与所述第一NMOS管的源极连接；

其中，在所述灵敏放大器的失调补偿阶段，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管被配置为二极管连接模式，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管被配置为交叉耦合放大模式。

2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，在所述灵敏放大器的预放大阶段，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管被配置为待放大信号接收模式，用于接收待放大信号，所述待放大信号由所述第一位线或所述第二位线的寄生电容中的电荷与对应的存储单元中的电荷进行电荷共享而生成；以及

所述第一NMOS管和所述第二NMOS管被配置为交叉耦合放大模式。

3.根据权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，在所述灵敏放大器的回写阶段，所述第一PMOS管和所述第一NMOS管被配置为第一反相器，所述第二PMOS管和所述第二NMOS管被配置为第二反相器；

其中，所述第一反相器和所述第二反相器被配置为锁存器模式。

4.根据权利要求3所述的灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括：

第一开关，所述第一开关的第一端与所述第一PMOS管的漏极连接，所述第一开关的第二端与所述第一PMOS管的栅极连接；

第二开关，所述第二开关的第一端与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第二开关的第二端与所述第二PMOS管的栅极连接；

第三开关，所述第三开关的第一端与所述第一开关的第一端连接，所述第三开关的第二端与所述第二开关的第二端连接；

第四开关，所述第四开关的第一端与所述第二开关的第一端连接，所述第四开关的第二端与所述第一开关的第二端连接。

5.根据权利要求4所述的灵敏放大器，其特征在于，在所述灵敏放大器的失调补偿阶段，所述第一开关和所述第二开关闭合，所述第三开关和所述第四开关断开；

在所述灵敏放大器的预放大阶段，所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关和所述第四开关均断开；

在所述灵敏放大器的回写阶段，所述第一开关和所述第二开关断开，所述第三开关和所述第四开关闭合。

6.根据权利要求4所述的灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括：

上拉单元，用于响应上拉控制信号将所述第一PMOS管的源极与电源电压连接；

下拉单元，用于响应下拉控制信号将所述第一NMOS管的源极接地。

7.根据权利要求6所述的灵敏放大器，其特征在于，所述上拉单元包括上拉PMOS管，所述上拉PMOS管的栅极接收所述上拉控制信号，所述上拉PMOS管的源极与所述电源电压连接，所述上拉PMOS管的漏极与所述第一PMOS管的源极连接；

所述下拉单元包括下拉NMOS管，所述下拉NMOS管的栅极接收所述下拉控制信号，所述下拉NMOS管的源极接地，所述下拉NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的源极连接。

8.根据权利要求4所述的灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括：

第一预充电单元，用于响应预充电控制信号，以在所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关、所述第四开关均闭合的情况下，对所述第一PMOS管的源极和所述第一NMOS管的源极进行预充电；

第二预充电单元，用于响应所述预充电控制信号，以在所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关、所述第四开关均闭合的情况下，对所述第一位线和所述第二位线进行预充电。