[发明专利]灵敏放大器、存储器和数据读出方法

说明书

本公开提供了一种灵敏放大器、存储器和数据读出方法，涉及半导体存储器技术领域。该灵敏放大器包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一开关、第二开关、第三开关和第四开关，在灵敏放大器的失调补偿阶段，控制第一开关至第四开关的开合状态，使第一NMOS管和第二NMOS管配置为交叉耦合放大模式，使第一PMOS管和第二PMOS管配置为二极管连接模式。本公开可以实现灵敏放大器的失调补偿，提高存储器读出数据的正确性。

技术领域

本公开涉及半导体存储器技术领域，具体而言，涉及一种灵敏放大器、存储器和数据读出方法。

背景技术

随着手机、平板、个人计算机等电子设备的普及，半导体存储器技术也得到了快速的发展。例如DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)、SRAM(StaticRandom-Access Memory，静态随机存取存储器)的存储器由于高密度、低功耗、低价格等优点，已广泛应用于各种电子设备中。

灵敏放大器(Sense Amplifier，简称SA)是半导体存储器的一个重要组成部分，其主要作用是将位线上的小信号放大至数字信号，从而执行读出或写入操作。

然而，由于灵敏放大器内部的缺陷或环境的影响，可能出现读写错误的问题，例如，存储单元中存储的是“1”，而从位线读出的数据是“0”。这样，会严重影响半导体存储器的性能。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种灵敏放大器、存储器和数据读出方法，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的存储器读出数据错误的问题。

根据本公开的第一方面，提供一种灵敏放大器，包括：第一PMOS管，第一PMOS管的栅极与第一位线连接；第二PMOS管，第二PMOS管的栅极与第二位线连接，第二PMOS管的源极与第一PMOS管的源极连接；其中，第二位线是与第一位线对应的反位线；第一NMOS管，第一NMOS管的栅极与第二PMOS管的漏极连接，第一NMOS管的漏极与第一PMOS管的漏极连接；第二NMOS管，第二NMOS管的栅极与第一PMOS管的漏极连接，第二NMOS管的漏极与第二PMOS管的漏极连接，第二NMOS管的源极与第一NMOS管的源极连接；其中，在灵敏放大器的失调补偿阶段，第一PMOS管和第二PMOS管被配置为二极管连接模式，第一NMOS管和第二NMOS管被配置为交叉耦合放大模式。

可选地，在灵敏放大器的预放大阶段，第一PMOS管和第二PMOS管被配置为待放大信号接收模式，用于接收待放大信号，待放大信号由第一位线或第二位线的寄生电容中的电荷与对应的存储单元中的电荷进行电荷共享而生成；以及第一NMOS管和第二NMOS管被配置为交叉耦合放大模式。

可选地，在灵敏放大器的回写阶段，第一PMOS管和第一NMOS管被配置为第一反相器，第二PMOS管和第二NMOS管被配置为第二反相器；其中，第一反相器和第二反相器被配置为锁存器模式。

可选地，灵敏放大器还包括：第一开关，第一开关的第一端与第一PMOS管的漏极连接，第一开关的第二端与第一PMOS管的栅极连接；第二开关，第二开关的第一端与第二PMOS管的漏极连接，第二开关的第二端与第二PMOS管的栅极连接；第三开关，第三开关的第一端与第一开关的第一端连接，第三开关的第二端与第二开关的第二端连接；第四开关，第四开关的第一端与第二开关的第一端连接，第四开关的第二端与第一开关的第二端连接。

可选地，在灵敏放大器的失调补偿阶段，第一开关和第二开关闭合，第三开关和第四开关断开；在灵敏放大器的预放大阶段，第一开关、第二开关、第三开关和第四开关均断开；在灵敏放大器的回写阶段，第一开关和第二开关断开，第三开关和第四开关闭合。