[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电类型的半导体衬底，具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面；

第一电极，形成在所述半导体衬底的所述第一主表面上；

第二电极，形成在所述半导体衬底的所述第二主表面上；

多个柱状导体，形成在所述半导体衬底中并且电连接到所述第一电极，所述多个柱状导体从所述半导体衬底的所述第一主表面的一侧延伸第一深度；

第二导电类型的第一杂质区域，形成在所述半导体衬底中并且电连接到所述第一电极，所述第一杂质区域从所述半导体衬底的所述第一主表面的所述一侧延伸比所述第一深度浅的第二深度；

所述第二导电类型的第二杂质区域，形成在所述半导体衬底中并且电连接到所述第一电极，所述第二杂质区域从所述半导体衬底的所述第一主表面的所述一侧延伸比所述第二深度浅的第三深度；

所述第一导电类型的第三杂质区域，形成在所述半导体衬底中并且电连接到所述第一电极，所述第三杂质区域从所述半导体衬底的所述第一主表面的所述一侧延伸比所述第三深度浅的第四深度；以及

栅电极，经由栅极电介质膜形成在所述半导体衬底中的栅极沟槽内，以便穿透所述第三杂质区域和所述第二杂质区域；

其中所述第一杂质区域分别与所述第一导电类型的所述半导体衬底的一部分和所述第二杂质区域接触，

其中所述多个柱状导体中的每个柱状导体包括场板，从所述半导体衬底的所述第一主表面来看，所述场板从比所述第二深度浅的第五深度形成到所述第一深度，以及

其中所述场板和所述第一导电类型的所述半导体衬底经由所述第二深度与所述第一深度之间的绝缘膜彼此相对。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个柱状导体中的每个柱状导体以穿透所述第三杂质区域和所述第二杂质区域的方式形成在深沟槽中，所述深沟槽从所述第一主表面到达所述第一导电类型的所述半导体衬底的一部分，以及

其中绝缘膜被形成在所述多个柱状导体中的每个柱状导体与所述半导体衬底之间。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述多个柱状导体中的每个柱状导体在所述深沟槽中从所述半导体衬底的所述第一主表面形成到所述第五深度，以及

其中所述多个柱状导体中的每个柱状导体包括与所述场板和所述第一杂质区域接触的插塞。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一杂质区域从所述第五深度到所述第二深度的长度被设置为与所述场板从所述第五深度到所述第一深度的长度的一半相对应的长度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一杂质区域包括具有第一杂质浓度的第一部分和具有高于所述第一杂质浓度的第二杂质浓度的第二部分，以及

其中所述第一部分与所述第二部分相比位于所述第一主表面的近侧。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一导电类型的所述半导体衬底包括具有第三杂质浓度的第一层和具有低于所述第三杂质浓度的第四杂质浓度的第二层，其中所述第二层与所述第一层相比位于所述第一主表面的近侧，并且其中所述多个柱状导体中的每个柱状导体被形成为到达所述第一层，并且所述栅电极被形成为到达所述第二层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个柱状导体中的每个柱状导体在平面图中的形状为正方形、圆形或八边形中的任一种。