[发明专利]高纯金丝桃素的合成方法及合成装置在审

专利信息
申请号: 202010238150.1 申请日: 2020-03-30
公开(公告)号: CN111253235A 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 戴汉松;戴辰勋 申请(专利权)人: 成都金石缘科技有限公司
主分类号: C07C46/00 分类号: C07C46/00;C07C50/36;B01J19/12
代理公司: 成都慕川专利代理事务所(普通合伙) 51278 代理人: 杨艳
地址: 610000 四川省成都市高*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 高纯 金丝 合成 方法 装置
【权利要求书】:

1.高纯金丝桃素的合成方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、以纯度大于98%的大黄素为原料,在还原剂的作用下还原为大黄素蒽酮;

S2、将大黄素蒽酮在聚合剂下进行二聚,形成原金丝桃素;

S3、在光反应器中,原金丝桃素经单色光引发反应生成金丝桃素;所述光反应器的光照距离可调。

2.根据权利要求1所述的高纯金丝桃素的合成方法,其特征在于,步骤S2的二聚条件为:大黄素蒽酮、氮氧吡啶、氯化亚铁、氢氧化钠和水,氩气保护下,在密闭石英管中进行二聚缩合反应。

3.根据权利要求1所述的高纯金丝桃素的合成方法,其特征在于,步骤S3中光反应器为汞灯光反应器。

4.用于权利要求1-3中任意一条权利要求所述的高纯金丝桃素合成的合成装置,包括步骤S3中所用的光反应器,其特征在于,所述光反应器包括水平放置的操作台(1),操作台(1)的中心处安装有竖直放置的石英冷阱(2),石英冷阱(2)内部安装有汞灯柱(3),操作台(1)的顶面上设置有多条滑轨(4),所有滑轨(4)以石英冷阱(2)为中心沿着石英冷阱(2)的径向方向均匀分布,滑轨(4)从石英冷阱(2)处延伸至操作台(1)的边缘,每个滑轨(4)上均滑动连接有磁力搅拌器(5),磁力搅拌器(5)的底部与滑轨(4)滑动连接,磁力搅拌器(5)的顶面上安装有弧形板(6),弧形板(6)的内凹面朝向石英冷阱(2),弧形板(6)的中心轴与石英冷阱(2)的中心轴平行,弧形板(6)的内凹面上安装有多个竖直放置的反应管(7),反应管(7)围绕弧形板(6)的中心轴均匀分布,反应管(7)的底部与磁力搅拌器(5)顶面接触;磁力搅拌器(5)在石英冷阱(2)与操作台(1)边缘之间往复运动。

5.根据权利要求4所述的高纯金丝桃素的合成的合成装置,其特征在于,弧形板(6)的内凹面上设置有多个夹持反应管(7)的试管夹(8),试管夹(8)与反应管(7)一一对应。

6.根据权利要求4所述的高纯金丝桃素的合成的合成装置,其特征在于,弧形板(6)的外凸面上安装有环形冷凝管(9),环形冷凝管(9)的一端设有进水口,环形冷凝管(9)的另一端设置有出水口,弧形板(6)为散热板。

7.根据权利要求4所述的高纯金丝桃素的合成的合成装置,其特征在于,磁力搅拌器(5)的侧壁上设置有支撑弧形板(6)的伸缩杆(10)。

8.根据权利要求4所述的高纯金丝桃素的合成的合成装置,其特征在于,反应管(7)为石英管。

9.根据权利要求4所述的高纯金丝桃素的合成的合成装置,其特征在于,石英冷阱(2)与操作台(1)可拆卸连接,操作台(1)上设置有供石英冷阱(2)下端插入的插筒,插筒为透明的透明石英筒。

10.根据权利要求4所述的高纯金丝桃素的合成的合成装置,其特征在于,操作台(1)为内部中空的矩形箱。

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