[发明专利]电子控制装置在审
申请号: | 202010238676.X | 申请日: | 2020-03-30 |
公开(公告)号: | CN111791945A | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 株根秀树 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | B62D5/04 | 分类号: | B62D5/04;B60R16/023 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜;李德山 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 控制 装置 | ||
1.一种电子控制装置,包括:
多个控制电路单元(150,250),其连接至彼此分开的接地;
信号线(301~304),其连接第一控制电路单元和第二控制电路单元;以及
潜入抑制电路(501,505~507,601~607),其被配置成在将系统定义为与控制电路单元相结合并相对应地提供的部件和接地的情况下,抑制电力从连接至所述信号线的一个系统的接地潜入至另一系统。
2.根据权利要求1所述的电子控制装置,其中,
所述潜入抑制电路(505,506,605,606)包括逻辑电路(550,650)。
3.根据权利要求2所述的电子控制装置,其中,
所述逻辑电路是CMOS电路,并且包括两个场效应晶体管(551,552,651,652)和恒压二极管(553,653),所述恒压二极管(553,653)设置在(i)连接至所述场效应晶体管的栅极的栅极信号线(311,312)与(ii)在低电势侧的场效应晶体管之一(552,652)的源极之间的位置处。
4.根据权利要求2或3所述的电子控制装置,其中,
所述潜入抑制电路(505,605)包括设置在所述逻辑电路与主体系统的接地之间的位置处的二极管(557、657),以仅允许向接地侧通电。
5.根据权利要求2或3所述的电子控制装置,其中,
至少信号输出侧的系统设置有接地电势检测单元(580),其用于检测与接地电势有关的值,并且
所述信号输出侧的控制电路单元(150)根据所述接地电势检测单元的检测值来切换信号输出逻辑。
6.根据权利要求1所述的电子控制装置,其中,
所述潜入抑制电路(501,507,601,607)具有串联连接的n个电阻器(R11~R1n,Rm1~Rmn),其中,n为2或大于2的整数。
7.根据权利要求6所述的电子控制装置,其中,
输出侧的电阻器中的至少之一被设置成具有比输入侧的电阻器的电阻值小的电阻值。
8.根据权利要求1所述的电子控制装置,其中,
所述潜入抑制电路(602~604)被设置在信号输入侧的系统中,并且包括至少一个场效应晶体管(621,631,641,642)。
9.根据权利要求8所述的电子控制装置,其中,
所述场效应晶体管(621)是n沟道型,并且
所述潜入抑制电路(602)包括第一电阻器(622)和第二电阻器(623),所述第一电阻器(622)设置在所述场效应晶体管的栅极与主体系统的接地之间的位置处,并且第二电阻器(623)设置在所述场效应晶体管的漏极与所述主体系统的电路电源(237)之间的位置处。
10.根据权利要求8所述的电子控制装置,其中,
所述潜入抑制电路(603)包括第一电阻器(632)和第二电阻器(633),所述第一电阻器(632)设置在所述场效应晶体管的栅极与主体系统的电路电源(237)之间的位置处,并且第二电阻器(633)设置在所述场效应晶体管的漏极与所述主体系统的接地之间的位置处。
11.根据权利要求8所述的电子控制装置,其中,
所述潜入抑制电路(604)包括两个场效应晶体管(641,642),
所述场效应晶体管之一(641)是设置在高电势侧的p沟道型,
另一场效应晶体管(642)是设置在低电势侧的n沟道型。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社电装,未经株式会社电装许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010238676.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。