[发明专利]转移基板及制备方法、转移装置、转移方法在审
| 申请号： | 202010238746.1 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111415899A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 董士豪;麦轩伟;张国才;王大军;闫俊伟;王成飞 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67;H01L33/48;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 李迎亚;姜春咸 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 转移 制备 方法 装置 | ||
1.一种转移基板，其特征在于，包括：基底、以及位于所述基底上的多个拾取单元；所述拾取单元与待转移的芯片一一对应；每个所述拾取单元包括多个纳米微结构。
2.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述纳米微结构包括纳米纤维。
3.根据权利要求2所述的转移基板，其特征在于，所述纳米纤维的材料包括聚二甲基硅氧烷。
4.根据权利要求2所述的转移基板，其特征在于，所述纳米纤维的直径为300纳米至400纳米。
5.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述基底与所述纳米微结构为一体成型结构。
6.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述拾取单元在所述基底上的正投影覆盖待转移的芯片在所述基底上的正投影。
7.一种转移装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的转移基板。
8.一种转移基板的制备方法，其特征在于，包括：
在单通模板上涂附光刻胶，形成阻挡层；
通过光刻工艺，对所述阻挡层进行曝光、显影、刻蚀，形成间隔设置的阻挡结构；
在所述阻挡结构上、相邻所述阻挡结构之间所述单通模板的单通孔内涂附吸附材料并固化形成吸附材料层；
将所述单通模板和所述阻挡结构进行去除，形成具有多个纳米微结构的拾取单元。
9.一种转移方法，其特征在于，包括：
在承载基板上形成多个待转移的芯片；
将转移基板与所述承载基板进行对位，将待转移的所述芯片拾取至所述转移基板；所述转移基板中具有多个纳米微结构的拾取单元与待转移的所述芯片一一对应；
将所述转移基板与接收基板进行对位，将待转移的所述芯片转移至所述接收基板上；
将所述转移基板剥离。
10.根据权利要求9所述的转移方法，其特征在于，所述将所述转移基板剥离包括：
将所述转移基板从一端沿着背离所述接收基板的方向翻折，使得所述纳米微结构与待转移的所述芯片之间呈一定夹角。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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