[发明专利]转移基板及制备方法、转移装置、转移方法

说明书

本发明提供一种转移基板及制备方法、转移装置、转移方法，属于显示技术领域，其可解决现有的转移基板与待转移的芯片之间粘附力较低、工艺稳定性差的问题。本发明的转移基板，包括：基底、以及位于基底上的多个拾取单元；拾取单元与待转移的芯片一一对应；每个拾取单元包括多个纳米微结构。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种转移基板及制备方法、转移装置、转移方法。

背景技术

微发光二极管(micro light emitting diode，Micro LED)显示技术是将传统的显示器件进行微小化和矩阵化，并采用集成电路工艺制成驱动电路，以实现每一个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。由于其亮度、寿命、对比度、反应时间、能耗、可视角度和分辨率等各种指标均由于传统的显示技术。并且其属于自发光、结构简单、体积小以及节能的优点，被视为下一代显示技术。目前制作Micro-LED显示面板的过程中，首先利用转移基板拾取制备的微发光二极管，再将巨量的微发光二极管转移至接收基板，实现微发光二极管的巨量转移。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题：现有的微发光二极管巨量转移在转移过程中普遍存在粘附力低、工艺稳定性差的问题，从而容易导致良率较低，影响生产效率。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种转移基板及制备方法、转移装置、转移方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种转移基板，包括：基底、以及位于所述基底上的多个拾取单元；所述拾取单元与待转移的芯片一一对应；每个所述拾取单元包括多个纳米微结构。

可选地，所述纳米微结构包括纳米纤维。

可选地，所述纳米纤维的材料包括聚二甲基硅氧烷。

可选地，所述纳米纤维的直径为300纳米至400纳米。

可选地，所述基底与所述纳米微结构为一体成型结构。

可选地，所述拾取单元在所述基底上的正投影覆盖待转移的芯片在所述基底上的正投影。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种转移装置，包括如上述提供的转移基板。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种转移基板的制备方法，包括：

在单通模板上涂附光刻胶，形成阻挡层；

通过光刻工艺，对所述阻挡层进行曝光、显影、刻蚀，形成间隔设置的阻挡结构；

在所述阻挡结构上、相邻所述阻挡结构之间所述单通模板的单通孔内涂附吸附材料并固化形成吸附材料层；

将所述单通模板和所述阻挡结构进行去除，形成具有多个纳米微结构的拾取单元。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种转移方法，包括：

在承载基板上形成多个待转移的芯片；

将转移基板与所述承载基板进行对位，将待转移的所述芯片拾取至所述转移基板；所述转移基板中具有多个纳米微结构的拾取单元与待转移的所述芯片一一对应；

将所述转移基板与接收基板进行对位，将待转移的所述芯片转移至所述接收基板上；

将所述转移基板剥离。

可选地，所述将所述转移基板剥离包括：

将所述转移基板从一端沿着背离所述接收基板的方向翻折，使得所述纳米微结构与待转移的所述芯片之间呈一定夹角。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种转移基板的结构示意图；