[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一衬底，具有一第一导电型；

一高压阱，具有一第二导电型，并形成于所述衬底中；

一源极阱，具有所述第一导电型，并形成于所述高压阱的一侧的所述衬底中；

一漏极阱，具有所述第二导电型，并形成于所述高压阱中；

一隔离层，形成于所述源极阱与所述漏极阱之间的所述高压阱上方；

一栅极层，形成于所述衬底上方，并自所述源极阱的一边缘部分上方连续延伸至所述隔离层的一边缘部分上方；

一源极区，形成于所述栅极层旁的所述源极阱中；

一漏极区，形成于所述漏极阱中；以及

至少一浮置导体层，形成于所述隔离层上方，且所述浮置导体层与所述漏极区之间的距离小于所述浮置导体层与所述源极区之间的距离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述至少一浮置导体层包括两个以上的浮置导体层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述浮置导体层与所述漏极区之间的距离在1μm以上。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述至少一浮置导体层的宽度是所述隔离层的宽度的0.025倍～0.8倍。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述至少一浮置导体层的厚度是所述隔离层的厚度的0.22倍～0.3倍。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述浮置导体层的材料包括多晶硅或金属。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，更包括一漂移区，形成于所述隔离层下方的所述高压阱中。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述漂移区位于所述浮置导体层的正下方。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述漂移区包括：

一顶区，具有所述第一导电型；以及

一梯度区，具有所述第二导电型，形成于所述隔离层与所述顶区之间。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述梯度区延伸出所述隔离层并与所述栅极层相接。