[发明专利]半导体装置在审

申请号：	202010241338.1	申请日：	2020-03-31
公开（公告）号：	CN113471272A	公开（公告）日：	2021-10-01
发明（设计）人：	吴宛叡	申请（专利权）人：	旺宏电子股份有限公司
主分类号：	H01L29/06	分类号：	H01L29/06;H01L29/78
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	任岩
地址：	中国台湾新竹***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	半导体装置
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【说明书】：

本发明公开了一种半导体装置，包括具有第一导电型的衬底、形成于衬底中并具有第二导电型的高压阱、形成于高压阱一侧的衬底中的源极阱、形成于高压阱中的漏极阱、形成于源极阱与漏极阱之间的高压阱上方的隔离层、形成于衬底上方并自源极阱的边缘部分上方连续延伸至隔离层的边缘部分上方的栅极层、形成于栅极层旁的源极阱中的源极区、形成于漏极阱中的漏极区与形成于隔离层上方的至少一浮置导体层。所述浮置导体层与漏极区之间的距离小于浮置导体层与源极区之间的距离。

技术领域

本发明有关于一种半导体装置，且特别是有关于一种具有浮置导体层的半导体装置。

背景技术

超高压(ultra-high voltage,ultra-HV)半导体装置广泛用于显示元件、可携式元件与其他多元应用。超高压半导体装置所追求的目标包括具有高击穿电压(breakdownvoltage)、低特征导通电阻(specific on-resistance，Ron)并兼顾在室温与高温环境下的高可靠性。

然而，随着超高压半导体装置的应用面扩大，寻求更高的击穿电压已成为目前的研究重点。

发明内容

本发明提供一种具有浮置导体层的半导体装置，能通过降低特征导通电阻(Ron)提高击穿电压达500V以上。

本发明的半导体装置，包括具有第一导电型的衬底、具有第二导电型的高压阱、具有第一导电型的源极阱、具有第二导电型的漏极阱、隔离层、栅极层、源极区、漏极区与至少一浮置导体层。高压阱形成于衬底中，源极阱形成于高压阱一侧的衬底中，漏极阱形成于高压阱中，隔离层形成于源极阱与漏极阱之间的高压阱上方，栅极层形成于衬底上方并自源极阱的边缘部分上方连续延伸至隔离层的边缘部分上方，源极区形成于栅极层旁的源极阱中，浮置导体层则是形成于隔离层上方。所述浮置导体层与漏极区之间的距离小于浮置导体层与源极区之间的距离。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本发明的一实施例的一种半导体装置的俯视示意图。

图2是图1的II-II′线段的半导体装置的剖面示意图。

图3是依照本发明的另一实施例的一种半导体装置的剖面示意图。

图4是图2的半导体装置的隔离层下方的电场分布图。

图5是实验例1与对比例1随N型高压阱的剂量比例变化的击穿电压曲线图。

图6是实验例2与对比例2随P型顶区的剂量比例变化的击穿电压曲线图。

图7是实验例1、实验例2与没有浮置导体层且N型高压阱和P型顶区的剂量均为标准值的Ron曲线图。

【符号说明】

10:半导体装置

100:衬底