[发明专利]COF产品的工艺

权利要求书

1.COF产品的工艺，其特征在于，包括如下步骤：

S1：基材处理：将用于生产COF挠性基板的基材进行处理，使之在厚度、表面性能、尺寸各方面适用于进行后续的处理；

S2：图形转移：将预先设计好的电路图形转移到基材上；

S3：在基材的上表面贴合柔性薄膜；

S4：在柔性薄膜上沉积金属层；

S5：集成电路成型：使用LCD曝光蚀刻工艺，根据已经转移到基材上的图形，将金属层图案化，涂一层湿膜，使集成电路成型并固化，形成金属走线层；

S6：在集成电路的接线脚镀锡进行保护；

S7：在已成型的集成电路表面覆盖一层保护膜，保护线路已绝缘和避免集成电路表面受到损伤；

S8：将芯片键合在金属走线层上；

S9：将基材与柔性薄膜分离，然后去掉基材，获得所需的COF材料；

S10：将成卷或拼板中的COF分切成单个；

S11：测试加工好的COF基板，检测合格后进行封装，得到成品。

2.根据权利要求1所述的COF产品的工艺，其特征在于，所述S1中基材可以为玻璃基板，也可以使用补强板。

3.根据权利要求2所述的COF产品的工艺，其特征在于，所述S2中图形转移，包括如下步骤：

S21：在已经经过处理的基材表面涂布光致抗蚀层；

S22：根据基材上预设的定位点，进行定位；

S23：使用经过调制的高斯光束，直接在基材表面进行光刻，激光穿透光致抗蚀层，根据预设的电路图案在基材表面形成细小的沟道，完成电路图案转移到基材表面的操作。

4.根据权利要求3所述的COF产品的工艺，其特征在于，所述S3中柔性薄膜的材料选自PI、PET、TAC，PI、PET、TAC三种材料制备的产品柔软度更高，性能更稳定。

5.根据权利要求1所述的COF产品的工艺，其特征在于，所述S5中金属走线层使用钼锂钼和铜制程。

6.根据权利要求5所述的COF产品的工艺，其特征在于，所述S5中集成电路成型，还包括如下步骤：

S31：为采用蚀刻液沿S2中已经转移到基材上的电路图案进行进一步加深直至成型；

S32：使用脱膜药水将残余的光致抗蚀层溶解并进行清洗。

7.根据权利要求6所述的COF产品的工艺，其特征在于，所述S7中保护膜可以采用油墨、聚酰亚胺、PET、PEN、LCP、PEEK和PTFE超薄膜材料压膜进行保护。